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EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › 电子硬件设计论坛 › i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题
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i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

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gwei_0210

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发表于 2017-8-18 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
2 ^) o. Q2 v& @5 k

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超級狗
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總有錯誤訊息吧？>_<|||  发表于 2017-8-18 15:48
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Aubrey

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发表于 2017-8-18 16:01 | 只看该作者
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

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gwei_0210
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:11 | 只看该作者
天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:12 | 只看该作者
) F# e# w' R5 ]) ?
DDR Freq: 396 MHz ! {2 P7 H$ T/ b; y( w. i
5 g4 q7 z0 [3 h% k
ddr_mr1=0x000000001 d( J" n- n* x6 q+ u+ d) Y, J
Start write leveling calibration...
1 Z: }6 X/ P0 C$ g3 hrunning Write level HW calibration
* u7 ~# W( ?4 e* uWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script0 f% m- k: \3 `7 U/ Q
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007( b, t, c0 b6 c9 H4 ]' p
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
' L4 Y* K4 u) a! b- R$ y) I, i% UWrite DQS delay result:. O5 p- d& D9 T% V9 n2 ~' @
   Write DQS0 delay: 7/256 CK# p: `: P* w8 y
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
/ m: {" A/ v, Q. i9 M4 ]/ V1 j
& f: a7 C& S$ E0 F5 VStarting DQS gating calibration; P8 B8 i; Y% o% G( ~3 c) S
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
, a9 M* T( i. I- e9 e7 @8 D. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
8 T" o& w) @. x. }: J. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
4 y" `7 L) k  [" ?, K. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011( v, A6 p, b) k
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
1 ^! U* W- W: B! e, g  Q9 |. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011" G7 u$ Z" H1 L6 A
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
& o% G5 {& P3 \$ Z. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
8 F* @9 l' _. e5 r6 p4 b7 n. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
) H3 L5 H$ i3 X! Q. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
  Q& i8 W( P5 p1 a3 G. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011* q! _. w1 i* S: V( R+ a: J# X, |
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011! E+ i% U! M- ]. m' [
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011% q: s- V" X0 i8 }: O$ b+ V
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011& k; e& i' F- e3 d( M4 g; O
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!+ s. J. c0 ]# l; t- H$ a+ p" S2 }
dram test fails for all values.
2 n  R: a9 t! A5 [
* F; b/ H% H5 F- b$ r0 aError: failed during ddr calibration
( ~+ W+ G3 f2 ^- u9 J& ]# C+ Q; n% z/ y4 G& k

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Aubrey

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发表于 2017-8-21 09:58 | 只看该作者
4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

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kele1983

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发表于 2017-8-21 10:41 | 只看该作者
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

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gwei_0210
试过，也不行  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
kele1983 发表于 2017-8-21 10:41/ J9 m8 _0 D" I8 M% m) T/ Y) ?! Y
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

# Z& D9 K: p3 }1 K. j; u9 k$ [试过，也不行
( W2 p- ^9 f7 j! x

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kele1983
我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。 还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:37

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01  v/ \4 }" F3 d$ M+ c) N% P
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

2 S, U$ |0 t. N7 t6 C  m填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的
+ R; y+ r! B1 s5 }8 g5 I' `4 b7 Z2 }

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超級狗
走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟這改變，阻抗有可能會受到影響。 如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。  详情 回复 发表于 2017-8-21 14:28

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:11 | 只看该作者
DDR Freq: 396 MHz
4 ^" A+ h9 @3 l0 c* [
$ `+ B+ Z2 f% xddr_mr1=0x00000000
# ^5 x' n0 @8 F9 |9 i$ @Start write leveling calibration...
3 R. o9 @% W5 s' S+ ]9 Jrunning Write level HW calibration) K7 e. j- s; E7 R7 C
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script; F& S( H, l: i5 j* y( X
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
/ w  E# v. \$ x; x    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x000800082 ^2 Z4 s- v  N- O1 x0 J
Write DQS delay result:
1 l8 J, q: u( t   Write DQS0 delay: 7/256 CK5 ~- x' M* Q0 o' a5 I. {
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
( m" [+ f) @3 m! M; ]! U; Y+ z# t! k' S- ^% f
Starting DQS gating calibration) k. }) |6 ]4 m# Q4 e
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
: Q  [" Y) u8 l8 g9 M8 A; c: o/ P. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x000000114 \; Z$ k' I0 B! Q7 p& w
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x000000118 C/ e1 C: ?% Y3 i. F8 N1 r9 Y% ^, i- ~
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
* y' X! f1 s' }. Y. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x000000119 l7 Z& a. l4 C5 `$ r
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011/ [9 [" X* E( U6 t
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
( `/ S5 }1 H+ l& T/ \1 _) a5 ?. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
$ L; y  t( i6 w2 c! K$ D3 s9 @. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
4 w6 |% N. m: x5 U* `" L  P. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
3 q7 d0 w) @4 d5 t" s$ O. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
1 D( V& A3 ?" h3 B; U% g. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x000000115 t6 X- B2 V# o8 V) t5 c
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011+ a1 b1 Y' D8 w8 i/ a$ H
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
# g: H8 r, L% O3 h" r9 KERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!9 p6 q" p& Y3 U! z; k5 `! c+ P/ a
dram test fails for all values.
( `+ q2 D1 \+ a
9 I! P0 c+ u1 ]; ?Error: failed during ddr calibration% ]  _6 i# |7 {6 J/ [) X

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kele1983

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发表于 2017-8-21 13:37 | 只看该作者
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10. @4 e2 S7 C9 }( n. g% Y; G
试过，也不行

  H) g3 r& l! ?' V1 R4 o% I我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
' S" k0 L2 l9 m) V) i$ V还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
  {' }$ c7 h' w2 Z3 Z& {我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。; ^6 U) [, p7 M! m

( a" Z: |& U7 M, l8 t

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发表于 2017-8-21 14:18 | 只看该作者
挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。" t6 y3 N+ V+ G- B; ?" \2 n
0 n- Y/ S) f5 W9 \/ y  ~6 S
https://community.nxp.com/thread/3651064 L, Z! f4 l* u- Z$ B6 d0 E
# }' Z) z1 J6 H( i

* d4 j7 \- ^+ j* J# K/ f8 H+ j) ^
  • Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"7 p# d  D8 v/ w4 ?) o
    https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
  • Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
  • Try different DDR_SEL options  (11 or 10).; Y8 k( Z4 G5 z! a- w1 a& n
    10 : LPDDR2
    % |3 _  `8 P- q0 m+ r: _/ x11 : DDR3
    , t; Y) U; ]" |1 ~7 h, D

$ Y! _8 O$ r6 y) O5 k& H
9 m# j3 [( i6 J+ Y
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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超級狗

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发表于 2017-8-21 14:28 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑   G7 m+ c" R% s  m* Y
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:103 Y$ O: r2 G. s5 U
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...
4 A9 ~6 K3 t2 Z; a
走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。
5 z2 Z8 Z4 m5 s9 |- r" O2 J$ }. t% d0 n! ]7 R& s: s# [5 o
如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
5 B: m& {. Y! k3 s4 o3 k$ ^
$ i2 k: C% K! n+ |' o7 C
& J4 Y8 S: u5 M. `8 L
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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duzz

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发表于 2017-8-21 16:40 | 只看该作者
狗版主，这么翻译飞卡要气死

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肥死卡好！>_<|||  发表于 2017-8-22 08:16

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 16:54 | 只看该作者
已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

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zxk

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发表于 2017-8-22 07:16 | 只看该作者
路过，学习一下 mark

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