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发表于 2018-6-17 18:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样6 [3 O% B% T* D* f
它们的共同点:! }, S- U! H2 g& o
1,统一排地址:但地址不一样
% ^% ?1 ?; F8 m; |2,编程方法和的函数一样
# ~$ r% R/ n( _: ]* v% ^$ p1,先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
$ b# S$ m) j' m& i2,Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32);写8 q2 c* w" M0 Z' Y2 _
其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32);* e3 U& {  L5 |; `
3,HAL_FLASH_Lock();锁住写6 E8 [% M# z) G; ^
3,擦出方法和函数一样, ]8 }5 a  F1 \; p/ E
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)$ ?3 n: H5 u, S4 ?3 A( `
4,读方法和函数一样
9 j$ l0 ]& Q( n0 DRead_eeprom_int32(uint16_t addr)$ L7 C4 y, z1 v8 s5 J7 O
不同点:
! m6 l( l, Y1 z: u; [% z3 L地址不一样:
* O5 x9 w2 K) Y1 m! C; e# i  wEEPROM:0x08080000开始的2K字节, P/ I5 g1 N% p% g* i5 ^
FLASH: 0x08000000开始的空间(大小型号决定), 其中你想用的FLASH空间。
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