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[仿真讨论] 关于DDR走线的参考平面选择

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发表于 2015-11-14 10:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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  DDR走线参考其他电源平面跟参考DDR电源平面有区别吗?(在没有完整GND平面参考情况下)
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发表于 2015-11-15 14:04 | 只看该作者
电源平面需要稳定,噪声小

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发表于 2015-11-15 20:15 | 只看该作者
一定要保证平面的完整性,这样才能保证信号的回流通路,至于参考哪个平面比起完整平面是次要的。

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发表于 2016-1-19 11:17 | 只看该作者
这个应该是参考DDR的电源更好吧,参考其它的电源会产生切割,使之不平整。还有就是我感觉跟分地一样,模拟走线的下方都是参考模拟地。

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发表于 2016-1-19 13:37 | 只看该作者
DDR参考非DDR电源平面,不管是从低到高还是从高到低,最终都需要从非DDR电源平面通过耦合的方式(比如耦合电容等)耦合到DDR电源平面,这样才能形成一个完整的回路,因为这里的输出器件和输入器件的电源管脚是DDR电源。如果直接参考DDR电源平面,省去了两平面的耦合这一步。) r& N+ |% W+ d+ U/ T# {

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那参考DDR电源平面和参考gnd哪个更好一些?  详情 回复 发表于 2016-1-19 16:16

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 楼主| 发表于 2016-1-19 16:16 | 只看该作者
ljzyhjbfwh 发表于 2016-1-19 13:37: h. D' g5 S8 V1 m3 U
DDR参考非DDR电源平面,不管是从低到高还是从高到低,最终都需要从非DDR电源平面通过耦合的方式(比如耦合 ...
" U) p+ T  I1 n0 T/ S- o: K& D
那参考DDR电源平面和参考gnd哪个更好一些?; d; z' L0 k! ?( G$ K, ?8 u! Z+ E

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DDR的数据线参考GND平面,地址控制命令线参考DDR电源平面更好。DDR内部的数据线是参考的GND,地址控制命令线参考的是DDR电源。外部参考与内部参考保持一致,这样在数据线或地址控制命令线从CPU进入DDR的地方,就可以  详情 回复 发表于 2016-1-20 11:25

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发表于 2016-1-19 16:57 | 只看该作者
本帖最后由 tanghao113 于 2016-1-19 16:59 编辑 - M, T% a& H" C6 c6 J  C! H4 L
3 @4 W' P. t' L3 w8 }/ j
参考地平面更好,因为不管怎样其他平面的返回电流最终都要通过平面间耦合或表贴电容器,VRM等方式回到地平面。因为其他平面与地平面不是理想连接,会存在一定的阻抗,流过的电流会在此阻抗上产生噪声,也就是所谓的地弹。

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发表于 2016-1-20 11:25 | 只看该作者
本帖最后由 ljzyhjbfwh 于 2016-1-20 11:59 编辑   c3 G4 x7 ?$ H( d/ v5 I
l888888h 发表于 2016-1-19 16:167 `/ Y# U. l. s" G; k; W: k
那参考DDR电源平面和参考gnd哪个更好一些?
. v5 Y3 r8 N, h+ I/ o$ `1 g
DDR的数据线参考GND平面,地址控制命令线参考DDR电源平面更好。DDR内部的数据线是参考的GND,地址控制命令线参考的是DDR电源。外部参考与内部参考保持一致,这样在数据线或地址控制命令线从CPU进入DDR的地方,就可以不需要在DDR ball的附近通过耦合方式来使两种不同参考源进行耦合,否则如果不在DDR ball附近进行耦合,那么返回路径就不好控制,可能会很长,引进串扰等。当然,如果需要分别测量CPU端的DDR电源电流和DDR端的DDR电源电流,那么这种情况下,对于地址控制命令线在PCB上也可以参考GND平面,在DDR ball附近加耦合。
6 D, ~: ?% W- k

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这次还真学习了!  详情 回复 发表于 2016-3-3 09:31
怎么在DDR ball附近加耦合呢?  详情 回复 发表于 2016-2-19 13:04
是因为DRAM颗粒内部用于识别0/1用的比较器其中一个脚连接的参考不同,一个是vref,一个是gnd?  详情 回复 发表于 2016-1-21 10:21

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 楼主| 发表于 2016-1-21 10:21 | 只看该作者
ljzyhjbfwh 发表于 2016-1-20 11:25, D4 x( ^5 l7 t. S
DDR的数据线参考GND平面,地址控制命令线参考DDR电源平面更好。DDR内部的数据线是参考的GND,地址控制命 ...
+ D+ e: Z) z3 H) y' ?% O
是因为DRAM颗粒内部用于识别0/1用的比较器其中一个脚连接的参考不同,一个是vref,一个是gnd?" ^4 }# X' W; p7 V' x  N* ^* W' c

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等效电路是这样子画的。真实电路,我也不太清楚。  详情 回复 发表于 2016-1-21 14:54

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发表于 2016-1-21 14:54 | 只看该作者
l888888h 发表于 2016-1-21 10:21( g1 I; L9 B0 N
是因为DRAM颗粒内部用于识别0/1用的比较器其中一个脚连接的参考不同,一个是vref,一个是gnd?

  @' d7 x- l+ ?! _) ?  c等效电路是这样子画的。真实电路,我也不太清楚。
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发表于 2016-2-19 13:04 | 只看该作者
ljzyhjbfwh 发表于 2016-1-20 11:255 t. ]' A8 L) K: O$ x+ g. i7 j
DDR的数据线参考GND平面,地址控制命令线参考DDR电源平面更好。DDR内部的数据线是参考的GND,地址控制命 ...

2 Q- [3 _7 S0 B: P2 d怎么在DDR ball附近加耦合呢?

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发表于 2016-2-25 10:42 | 只看该作者
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发表于 2016-2-25 14:00 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2016-3-3 09:31 | 只看该作者
ljzyhjbfwh 发表于 2016-1-20 11:25) L( r$ K5 i/ p% ^4 q. \
DDR的数据线参考GND平面,地址控制命令线参考DDR电源平面更好。DDR内部的数据线是参考的GND,地址控制命 ...
# ]. m/ A2 }) K9 R% p4 H- S' T
这次还真学习了!2 f7 w" b: j: V: Y) x0 z

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发表于 2016-3-25 14:34 | 只看该作者
不错
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