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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑
" L# N9 Y! o3 V- ]; }& e/ l0 ^# d5 A$ h: y# m/ [, n6 c
: t! T0 {. r# [3 N本文大纲( z7 ?6 ?* {) e% E% t3 ~ ~# r- _
本文章分三部分:. O& ]1 v! ^! a8 n( w( g
(一)wave port与lumped port的理解* x. ]& |7 @3 ^& J2 o- v
(二)两种port的仿真操作用法
; X$ t5 L6 T( ^ X(三)S参数归一化的问题
" z: T% ^: Z$ l+ n+ x# S说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器
" z* |$ H) r1 A5 l$ E/ K5 H/ i. Y* }' J) T+ O5 O8 E
简单介绍下HFSS:
, n! O/ K& \) M5 a6 C( M- [# x' MANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:
% a. C1 g+ V+ I① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题* \5 g/ H& z0 d) q5 F2 A0 f2 c% ^4 r
② 端口特征阻抗和传输常数+ ^/ K- v% I6 Z- z
③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数# R9 H3 e' b( x* Z
④ 结构的本征模或谐振解。4 q4 ~5 }6 H. [. E) s' @; J
而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16., k; Y0 {( R% Z* q+ ^' N3 Z
ANSYS workbench+ f4 c& E" w! |# O; `
+ _+ t5 S0 E0 v3 z2两种port的仿真操作用法
2 i' n# G3 z/ V0 T0 c1.微带线下wave port
# U: ?" H6 i2 _3 |如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。
. D! E# M" G$ Y8 [6 h; c: |1 U2 L
/ `! k8 q$ e0 y: g4 T图5' A( K% ]7 F N' c
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。5 n5 n$ O" H# \8 {4 l {8 |
_# \: c% h) _1 ]9 n3 ^图6
; Z7 u/ e5 I8 P @; E2.微带线下lumped port
* j2 r& n- v$ f- O如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错$ f' o& f) i7 V* z
! ~; x. C2 B7 F. U& ?& K: P
图7
, R% Y$ {( h1 h4 v4 b然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示$ P3 w+ v- @8 o) k
$ \/ g& X" C9 ^! a* X4 q图86 b7 @4 l2 A- W0 a; T0 R
3.带状线下wave port$ a) r) t" v' J! {& E0 @( ^( |
如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。: I( t. E% ~: q8 V1 E
( g7 M, L! e: O5 ~' |
图9
! J, r, Z5 \; d- @* r然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。
" w: G+ ]5 N H1 P/ D' v" {
! h- p7 j. E1 {- b5 K+ G
图10& x7 f, l3 V( S: ~
4.带状线下lumped port4 V, J" w$ {9 L! k
带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“Perfect E”设为理想电边界。
3 {- s2 g' G; U$ V2 u9 v
F8 t2 ]' s1 x4 o6 O
图11& o- ]* e" Z4 V: ^4 w: U% R
接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。9 i$ o+ a) ?: B a
" F1 x% A4 q! ^% S2 V8 A" C
图122 v- Z( T% u, @4 ?& ~8 o; @) U
选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13( @4 N: N. s# y r. ^" b
) N. N H+ i/ z) R6 c( R$ [& }! P图13, W' U% r. Q9 W# H3 J' X* f8 C
未完待续.....
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