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本帖最后由 kevin890505 于 2015-8-23 07:59 编辑
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1,你原来电路是不行的,三极管永远不要忘了be压降,第一二图的Q1基极是是多少,那么如果三极管导通,发射机肯定是ub-0.7V,算都不用算,那么你Q1算下来就不能和你的1K,47K来依靠分压构成一个足以把PMOS关断的高电平。; E& G, h% |' L" V
2,改后的方案还是不行是肯定的,NMOS不是你那么驱动的,Vgs 在你导通前,S是0V,还可以说,那逐渐导通,假设导通到5V,那么你Vg最大也是5V,如何来驱动NMOS?所以显然不是这么回事。 不然DCDC就不要自举电容,不要NMOS驱动了。# |/ |8 C8 G: ]- U1 k" _+ M
; ~" p- ~* S" e7 v我也没用过这方面电路,如果你只是单纯这么切的话,最简单的你可以弄两组分压,一组1:10,一组10:1 然后配合一个NPN,一个PNP,这样用这两个不同的分压来驱动这两个三极管,然后进一步驱动MOS。但是逻辑中还有一个,就是大于5V后,你5V输出需要关断,所以再加个三极管,做个门就可以了。
; `, h4 d, O. D4 Z个人觉得这电路不一定靠谱,因为实际中存在各种来回切,高低压,连续快速切,门限,保护,如何保证其可靠性是个问题。 不了解你应用,说不准,不如找个现成的IC吧,这种马虎不得。 |
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