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用MOS管设计的电源开关,各位帮忙检查一下有没有问题啊!!有图~~~

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发表于 2012-5-10 20:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 lance_hnu 于 2012-5-10 20:07 编辑
2 q% `1 q; A$ V9 m' J, D4 C- a# c# t) C8 j9 u% z
这一种用两个NMOS管实现:
) Y' {! m+ m# |
. y; ], N- W0 K3 Y, Z另外一种用NMOS和PMOS实现:
2 j8 ~" K9 }$ d6 k0 w1 v& @" w6 g : |0 B! E+ Y) v# w6 C$ {
3 A/ l& }& ]% w/ b2 V
个人更倾向于NMOS管,它是多数载流子,比PMOS 开关速度快!!各位大哥有什么建议没有??
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发表于 2012-5-12 14:33 | 只看该作者
用pmos管的电路,就像7楼说的,NMOS是需要Vgs>0,需要的驱动电压比较高,用起来比较麻烦,PMOS就简单了。只要将你上面的第二幅图,PMOS+NMOS的原理图里面的NMOS管Q3换成NPN三极管就行了,基极接R25,发射极接地。

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发表于 2015-4-14 19:14 | 只看该作者
really2003 发表于 2012-5-12 15:49, s+ p4 f6 I- x$ A0 u
9#正解,
" H4 V" z+ [+ |4 h" g  ^
你头像是本人吗,妞?

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发表于 2015-3-20 16:21 | 只看该作者
路过,学习一下

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发表于 2012-5-11 08:56 | 只看该作者
Q3换成三极管吧,这里只是控制用的,用MOS比较浪费。
( ]" [( @8 V  @: _7 P' @( l! ?用NMOS的导通电阻小,工艺简单,成本比较低。

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发表于 2012-5-11 12:39 | 只看该作者
LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这个功率管在同样面积选择pmos功率管一般从2A-5A范围,控制管还是用三极管。

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:51 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-11 08:56
4 [' p8 }: W0 u4 @% [Q3换成三极管吧,这里只是控制用的,用MOS比较浪费。" _3 g# S# W- I" r2 ?( e) t
用NMOS的导通电阻小,工艺简单,成本比较低。

! K% l; U+ c# h- p- X, k2 ?如果我把Q3换成NPN三极管,最上面的电路图整体行得通吗,请帮我看看原理对不对,急着画板子,谢谢~~!!

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:54 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-5-11 12:39 & ~1 R1 d! X: ]& z' p
LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这 ...

! @0 ~+ @( Y! X+ p2 J从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!) d9 Z, b% q4 Y
你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:55 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-5-11 12:39 ( N5 ~- y/ b/ Y# d% i$ j% Z
LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这 ...
4 ]1 D# u  s' J9 i
从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!  m; A. _! E+ G4 @
你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

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发表于 2012-5-11 22:39 | 只看该作者
这个电路只能用pmos,不能用nmos,在这个地方就像是H桥的高端驱动,用nmos的话,驱动电压必须大于被控电压2.5v左右才能让nmos很好的导通。要用nmos必须使用升压电路

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发表于 2012-5-12 15:49 | 只看该作者
9#正解,

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你头像是本人吗,妞?  详情 回复 发表于 2015-4-14 19:14

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发表于 2012-5-12 15:50 | 只看该作者
pmos管的RDS会小一些,所以用pmos会更好

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:05 | 只看该作者
rx_78gp02a 发表于 2012-5-11 22:39 ; ]7 q9 x1 j, G7 I/ V
这个电路只能用pmos,不能用nmos,在这个地方就像是H桥的高端驱动,用nmos的话,驱动电压必须大于被控电压2 ...

# O  O( P1 K" x/ w2 |非常感谢,我居然忘了增强型要满足开启电压才能导通!!

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:06 | 只看该作者
really2003 发表于 2012-5-12 15:49 5 ?1 m- @1 Y1 V5 E, U1 q
9#正解,
% `* B9 ?* w1 Y" Y
额。。。9楼是你自己啊

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:08 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-12 14:33
( w& Z, r$ N# j, Q2 x* |: J  W" v用pmos管的电路,就像7楼说的,NMOS是需要Vgs>0,需要的驱动电压比较高,用起来比较麻烦,PMOS就简单了。只 ...
! l$ {) l+ Z7 D4 Q" u! q7 `% x
哈哈,好滴,现在全明白啦{:soso_e179:}

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发表于 2012-5-13 14:07 | 只看该作者
楼主第一个图中的Q4工作状态有问题吧!  NMOS还加一个电阻 R24不是就导通了吗

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lance_hnu + 2 是的 第一个图确实有错误!

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发表于 2012-5-13 14:36 | 只看该作者
不好意思,我说的是8#

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lance_hnu + 2 嘿嘿

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