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EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › 电子硬件设计论坛 › 电流监测电路工作原理 求指教
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电流监测电路工作原理 求指教

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fly_pigeon

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发表于 2015-3-25 15:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这个电流监测电路的工作原理是如何实现的，求大侠指教，在线坐等回复( i3 i3 W. x6 G  N

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发表于 2015-3-25 15:28 | 只看该作者
图2，通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V
: r% `' q5 r8 y& |0 Q& ~/ g$ v再仔细对照下图1中那个芯片资料，应该就有你要的答案了。

点评

fly_pigeon
我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻，IN+端口没有电阻，有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思？  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:45
If by life,you were deceived.
Don't be dismal ,don't be wild!
In the day of grief,be mild!
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发表于 2015-3-25 15:38 | 只看该作者
典型的高位电流检测，而且你的图纸有问题，IN+是接R，IN-接S，R701也过大，一般都是0.4R以下，看电流。

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fly_pigeon
图纸应该没有问题，这个是人家已经设计好的，成品模块我都测试了，我们要检测的电流是1uA-150mA，所以这个电阻也不算大  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:44

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 楼主| 发表于 2015-3-26 08:44 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-25 15:38
/ Y8 V: c8 l: d7 ~- Z& ^$ J典型的高位电流检测，而且你的图纸有问题，IN+是接R，IN-接S，R701也过大，一般都是0.4R以下，看电流。

  [1 v6 u, p4 l- N9 I图纸应该没有问题，这个是人家已经设计好的，成品模块我都测试了，我们要检测的电流是1uA-150mA，所以这个电阻也不算大
! k* a  _' s( s% V1 Z, E& `

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fallen
没有问题？ 先看电流，1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降，你在大电流的压降那么大，能正确反映被测IC的电流？ 再看高位电流检测，我看了规格书，我之前说的IN+/IN-的接法是错的，你这个IC确实要反过  详情 回复 发表于 2015-3-26 10:29

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 楼主| 发表于 2015-3-26 08:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-25 15:288 k9 p/ M  p$ w( s' @
图2，通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V
, m9 z( _+ ]' I0 p5 A再仔细对照下图1中那个芯片资料，应该就有你要的答案了。

8 x; T9 `6 o: u+ |2 ]; @我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻，IN+端口没有电阻，有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思？
4 t$ M7 M! ?# Q! X* N; Y

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zlpkcnm
IN+端口原理图上面的电阻可有可无，那是因为芯片内部是比较器（比较器特点：虚短虚断）。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧（这个我猜的）IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短  详情 回复 发表于 2015-3-26 09:12

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发表于 2015-3-26 09:12 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:45* J$ c! n' F6 g" t
我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻，IN+端口没有电阻，有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思？
+ B) b+ o& P/ @4 g! b& Y
IN+端口原理图上面的电阻可有可无，那是因为芯片内部是比较器（比较器特点：虚短虚断）。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧（这个我猜的）IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短虚断特点计算的。
* x( @& H' _7 }- P7 l& r9 W! m' k4 J兄弟
1 I! U6 N/ Y. A芯片内部的逻辑结构图也是比较重要的一部分，需要仔细研究下
3 |/ A4 X7 v$ s+ @( G( Z) A1 S$ t0 Y# f, m; ^. L8 J) \

- e9 P! A" [$ c* y0 k$ q' A写了这么多希望对你有帮助- I! B* ?  Z: X
If by life,you were deceived.
Don't be dismal ,don't be wild!
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发表于 2015-3-26 10:29 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:44
/ d& I7 u8 i* L% m% o3 @& F# j图纸应该没有问题，这个是人家已经设计好的，成品模块我都测试了，我们要检测的电流是1uA-150mA，所以这 ...

0 R4 K+ g9 g8 q* D5 m1 L- m没有问题？* k8 L% m# q4 h4 o  p3 N& a) U
先看电流，1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降，你在大电流的压降那么大，能正确反映被测IC的电流？! C& {+ c. N, }: m& h5 P; P
再看高位电流检测，我看了规格书，我之前说的IN+/IN-的接法是错的，你这个IC确实要反过来接。而且这个输入失调电压就是10uV，你还能测试4.7uV?
+ z; m4 w, Y& u$ S- w  q

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发表于 2015-3-26 12:43 | 只看该作者
原理很简单的，简单画了个图。原理如下：MOS管U2引入负反馈，满足虚短条件，即运放正反相输入端的电压值相等。那么R1*Icheck=R2*I2（Icheck为检测电流，I2为流过R2电流）。又mos栅极及运放输入端阻抗极大，故流过R2的电流与R3的电流一致所以mos管源级电压为Vout=R1*Icheck*R3/ R2。   按规格描述电路基本正确，具体参数在算算，呵呵。后面那级二阶低通滤波？滤啥子啊？' e5 }" A0 j* Y% D% N+ D

currentcheck.JPG (38.32 KB, 下载次数: 0)

简易图

简易图

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zlpkcnm
我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~  详情 回复 发表于 2015-3-26 13:46

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发表于 2015-3-26 13:46 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 12:433 N+ u4 E) C0 @& q% v
原理很简单的，简单画了个图。原理如下：MOS管U2引入负反馈，满足虚短条件，即运放正反相输入端的电压值相 ...

/ k7 P9 [" l" Q0 N我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~
0 O2 H$ G; |5 D/ B$ i/ O$ n) T& @

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yujingfa
PMOS我的那个电路不能导通mos吧，反过来想，运放输出端要高于电源电压，不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的，当然楼主的芯片确实应该用PMOS  详情 回复 发表于 2015-3-26 16:45
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发表于 2015-3-26 16:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-26 13:46
. s, {" B' Y; Q# `8 N6 p我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~
3 b+ z! A0 q6 |/ ^# L7 p% J* z
PMOS我的那个电路不能导通mos吧，反过来想，运放输出端要高于电源电压，不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的，当然楼主的芯片确实应该用PMOS) ]  \  ~( G' k

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zlpkcnm
恩，没错。所以该PMOS，运放正负端交换即可  详情 回复 发表于 2015-3-26 17:03

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yujingfa 发表于 2015-3-26 16:45
& e) T5 v  R. _% iPMOS我的那个电路不能导通mos吧，反过来想，运放输出端要高于电源电压，不能做到。我的这个是跟楼主芯片 ...
5 G3 d+ K! \7 v; |4 n
恩，没错。所以该PMOS，运放正负端交换即可
  |. b$ n0 Y6 a. D: c) x) ?
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