|
说明: 信号层1:6 ^; F9 v: _6 C9 O
# W, @# \8 w& `! Q(1)为时钟线CK_P和CK_N,规则设置为,线宽6mil,差分对内线间距为6mil,差分对于其他DDR信号间距为20mil,走线长度CK_N为1406mil,CK_P为 1408mil。
: u9 _1 j. l3 L) y线宽是要算阻抗控制的,不知道你6mil有没有考虑,线间距是要考虑串扰等SI问题,不知道你是否有客户的要求
8 k, l& p" z0 A& r(2)为数据信号组,DQ0~DQ7、DQS0、DM0,线宽为6mil,组内走线间距为8mil,与其他DDR信号间距20mil,走线长度以时钟为参考,±10mil3 U" m; D7 Y" |) w( M$ {
; t- e2 c, ]' EBus和差分信号最好在同一层出线,其他没有问题
7 v% A5 K. f! n" E(3)为控制/命令:RAS、CAS、CS等信号,线宽为6mil,走线间距为8mil,走线长度以时钟为参考,±100mil% D/ X3 O# m0 O( N, f. a# V) ` r, m' d; j l& p
控制命令不是特别重要,随便走走就好了,一般没有配等长要求
8 `% l: [; ~* e5 J" s8 {信号层2 @/ i2 ?* n# c5 i3 `1 W8 y, b6 c, M2 \3 v* I0 q$ L7 v* h
(4)为数据信号组:DQ8~DQ15、DQS1、DM1,线宽为6mil,组内走线间距为8mil,与其他DDR信号间距20mil,走线长度以时钟为参考,±10mil
. D' h$ a' [. \9 N! P(5)地址线:A0~A12,线宽6mil,走线间距8mil,与其他DDR信号间距20mil,走线长度以时钟为参考,±100mil
6 g3 m0 _4 p6 {地址线一般有等长要求,具体tolerance要看每个芯片的datasheet
: K, n9 Z* W* X5 t7 e+ w& x底层:6)VREF:线宽10mil; V% ~# U5 r2 ], _1 v
VREF不重要,基本10mil也可以了,如果是多个DDR2的公用的话,最好再宽一点 |
|