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BUCK拓扑最大占空比问题

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发表于 2013-4-9 12:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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首先,就我理解,目前功率不大的BUCK拓扑DCDC,基本都使用的是自举方式驱动内部NMOS,而一些DC资料里面提到过,对于自举电路,需要保证一个最小的自举电容充电时间(比如500K的DC大概对应200ns),才可以保证将来高电平驱动NMOS的可行性,电容充电时间不够,不能保证其有效驱动,这也就对应其最大占空比不能超过某个值(和工作频率有关),请问大神们,是不是所有的自举形式的BUCK拓扑都有此限制呢,因为有些DCDC里面根本没说到。求解,谢谢。
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发表于 2013-4-20 23:08 | 只看该作者
目前buck dcdc大都是nmos上管吧,工艺决定的。- e& E4 B( w  ^( E+ K1 o$ u
所以如果使用自举驱动方式,给自举电容充电或者刷新电荷的时间是必须要匹配自举时间常数,主要取决于自举电阻,constraint=R*C/D (s)。3 s' s3 L4 p1 G2 J
如果采用直接驱动、浮栅驱动等等其他拓扑就没有这个问题了。。
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