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[仿真讨论] 欢迎讨论:SIWAVE与HFSS微带线仿真对比!

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发表于 2012-4-16 22:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
欢迎讨论:SIWAVE与HFSS微带线仿真对比!
' H3 o) N# z4 J& X! k$ J
( `1 q& O/ g% r! C, g8 S" a) T6 H仅仅作为仿真,结构并不一定非常合理
# p3 E; }8 E- M) }/ J& k" m# S3 C1 }
微带线宽10mil
6 C5 W; I) x  E8 K0 w3 Q$ X微带线厚2mil
5 _7 F  V2 V$ a2 E) s  ]) ]微带长度5010mil
7 H& v/ [0 }: W' }- b中间介质厚10mil,介电常数4.4(按仿真工具里面默认的FR4选择)
9 R) r" ]% G2 b$ C8 D! i参考面厚2mil
; a) l/ b0 D5 y, ]: J0 Y5 z; E( x- x* w

* A" N9 U& |5 [6 h. `3 S* kTDR仿真设置:0 h& Q2 @3 F( Y5 B
rise time:100ps;della time:10ps
* n/ X& w  S) \% E# e; l  U( @- A+ _0 ~+ q  D( Q/ x
在SIWAVE中画一根5010mil的走线;有一个完整的参考平面& ~* W8 s  m$ L% k4 ?1 ?) c. q& q  U
然后得出的S参数与TDR仿真结果如下
0 }+ k* Q2 d- O- u* {5 g( N2 K/ \, Y; h! ?* n- U
& ~( a+ z/ E5 V5 V$ j  c0 x8 p
--------------------------------4 D# Z( j+ ~. n) i# {

# e) `, a0 u( C' a" Q在HFSS中,画一个参数化结构,PCB长宽100mil X 100mi,端口使用内嵌deembed功能(-4190mil)1 b6 l- ]1 O* B- J6 y4 l
使用终端驱动摸索,waveport端口处的的设置:
6 p1 W9 G6 k8 ?: ~/ Z- ]5 fsheet宽是走线的5倍关系,长是微带线与介质厚度的11倍关系
; Q' L! c3 |; f然后得出的S参数与TDR仿真结果如下
+ f" F) f& p5 G" j3 U+ Q* {! l- t. K; V! |. J( @

" |% `# n, F& C8 G 8 E( D' f1 M' ^/ j: a6 q( a
0 {) S0 `( x1 Y1 j8 }

$ C% _# r3 a1 @" p
& {- W7 A* n8 l2 ^. c问题:
4 C6 A2 d! d8 b. L(1)siwave仿真的结果跟使用polar的仿真结果基本接近;hfss怎差了好几欧;这样的结果是否是正确的
0 n8 F0 L' w* U% E" U, Z& i3d与2d的适应范围与精度是如何进行评估呢?
1 g. C0 ^/ K7 ^- |1 M4 Y8 m; l2 B& z- o( f6 R; V
(2)因为目前没使用仪器测试过TDR,希望有经验的朋友能提供一些仿真与实测的数据对比结果( y8 P3 D1 D, @$ O8 D

+ t# v+ h/ c; f& i5 `; y/ `3 O(3)从史密斯园可以看出那些情况?转的圈数是不是就是谐振点数?也就是这跟走线上经过的波的数量?如何能快速了解这跟走线到底走了多少波长?
8 Y6 q) ]; k* ^3 }4 p; o. v1 ]( b( G. v! W4 T
(4)如果在hfss按照微带5010mil长度建模,好像仿真得出的结果差异非常大,不知道这个结果是不是跟模型走线过长,存在严重的辐射边界反射导致的?在正确使用waveport的时候应该注意那些问题?下图是这个的仿真结果,看着比较诡异" L1 c# r3 |6 f
. ]! p5 ?$ g1 q

6 E' y* Y: R' C" S$ y, c! P; e* s- |# }: Y. q& b/ m
$ ~- |' G4 j& Z
: i  t$ y& n7 d, b; m* b  Z* ^8 G

1 D) q9 O5 f( M5 p
! ~+ p0 x1 i5 m1 B
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 楼主| 发表于 2012-4-17 23:29 | 只看该作者
昨天画的确实有点问题,今天查了一遍官方给出的波端口sheet尺寸比例设置要求
) M  f3 R+ o6 f4 s, [* ]+ [更正了绘制sheet的一个错误:线宽大于等于介质厚度时使用10w宽度 - M& O. w) C/ r
  
! k  E: U9 e& O7 ~; O线长10mil,空气腔体尺寸紧贴波端口sheet
6 O; J9 j; q+ {5 x. D! W  
7 ^4 N& e# S: D1 S9 L驱动模式使用积分线:65.7136 3 ]) M" w  }( @4 p1 L* D
终端驱动:65.2749 5 t  P0 v  d4 o* O
  : y# u( P9 T" l/ d; N: I5 X1 w
与使用2.5D工具算出的结果接近 1 ~- s, f% ^" d# p* Z/ w0 [
  . V% D# g1 n# K* N7 |
不过目前针对连续的理想传输线,貌似这样可以花比较短的时间即可得出任意长度的S参数 1 g& I$ E( |8 ^0 f3 k
  
  \3 l' i% c( d8 j# p; ]5 h对于非理想传输线,如果非得建立一个比较长的结构体的话,边界条件应该如何设置比较好?
8 W2 q" |/ }7 _. t是不是必须考虑四分之一波长的反射问题?
3 w1 O: K) x3 Z. h  }像0-10GHZ全波宽带仿真,如果设置与端口距离四分之一波长 这个腔体貌似也会比较大 ! c5 n/ z8 ?& \
在实际的工程应用中应该如何处理类似这样的仿真呢?
# L5 A7 x& l% l4 b. q& s9 z. Q0 P4 n6 D5 U+ i$ ~$ k4 T

8 O8 f8 \# u) G* c4 y( Z: M

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 楼主| 发表于 2012-4-18 11:58 | 只看该作者
不过目前发现,按照官方给的那个尺寸关系,在介质厚度比较大的时候得出的结果貌似有点问题" D; q; t! \! q* Q7 w6 R
7 n# B, T9 Y" Y6 d% H3 Z$ h
官方给出的是:
1 M. r. {' ~; c! c) Ow大于等于h的时候,波端口的sheet宽为10w,高为6-10h  v8 P8 _+ U3 H* `" h* y; l" w" g
w小于h的时候,波端口的sheet宽为5w,高为6-10h% \/ G! i7 `+ N' f5 R: O( d
. M. b: ]- R" D4 _. M
希望有经验的朋友说说这个方面在设置上有哪些讲究与注意事项
5 W. T0 P% f0 b9 O, X( U

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 楼主| 发表于 2012-4-18 18:30 | 只看该作者
mengzhuhao 发表于 2012-4-18 11:58
+ |& t* T/ r5 F不过目前发现,按照官方给的那个尺寸关系,在介质厚度比较大的时候得出的结果貌似有点问题
& F; t: L7 \. _6 B/ r8 I9 c0 a% |6 e  N, g
官方给出的是 ...

! m2 u+ @1 c2 l" w3 V( a) c' U现在对这个资料给出的结构关系比较质疑) W+ I+ d) W$ N7 K( i9 c
例如假设介质厚度为100mil,这个时候如果宽度按5w算感觉得出的结果是错的: x3 g9 }( z4 V' C" j8 ]% Y
实际我调整后,到了50w,高度到4h
9 Q- A8 H, P" e0 n# N1 y
0 D' ^. L( f1 Y' E- e+ A! x9 k我是观察了波端口的电场分布,尽量然电场分布均包含在这个范围内# K) `0 l5 L8 b+ H$ W
得出的结果就与polar算的结果类似(polar算的结果是146.5)
: F0 l8 U9 |# M8 U; U: ]
/ C+ i- V% v( _) yhfss算出的147.464 G5 ?, T3 \. y3 E+ B5 O; y
3 J6 r7 r3 M+ Y' M
现在的感觉用hfss算不同结构尺寸的传输线阻抗确实比较麻烦一些
% |  k* m- V8 t5 V/ a! ?不知道是否有比较好的方法
4 x6 z4 v# j. A& i0 W不对的地方请指正! o% p) @$ l# d' u

8 N/ r, G: Y$ z# X5 z/ e 3 b, K) a) o% H1 o% T8 l3 j/ A' l: v/ c
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