HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？* _$ j8 J' k' e q/ {* S
* h* Q9 A+ J8 Y* p/ m
& [' H& i' Q$ `( f1 g3 I! k 5 ~# u* O3 Y1 {, w7 ]/ A) J" ?: x& y因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体+ J; w a7 _$ D8 v
0 D4 J6 {3 H9 m% z
在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小5 c! n7 ]4 f" i7 x, P
- N) x+ b$ x7 ?1 N3 w7 V, H# T0 W
$ y: |8 {$ D7 Y3 M" A, @ ) i+ o- L& [% O1 P5 _6 `* K ; O; b: ?4 Y" P2 B' H |: E. l& r. V8 U0 z
请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的+ C$ w7 n4 E. B$ l: L8 S. K7 a. E a6 o
) j0 ^0 F0 `0 }- k
0 ^: W. y) ^, y( ]6 T 2 E% t! u7 i" F6 \因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界 . z3 J2 @0 w0 e' z6 N: X X2 a2 I) ]! |# d. A5 \0 E$ z6 y' \) ?
/1 
发表于 2012-4-11 08:39
QQ好友和群
QQ空间
腾讯微博
腾讯朋友
微信
收藏
支持！
反对！
楼主