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原理图说明:1 }0 E8 ]# p0 W9 [/ n( |. O
! o2 z' ?+ V5 @$ W( C; v- ^5 C
, J& e: n- ]! z* o0 d# N* P+ u* N
上图DDR_I电路中需要注意到信号线有CLK+/-,DQS0/1等." b4 [% [ O" [: w
+ N, ~- ` v. L: @
8 o' ]+ _" }# s" p: ]
PCB图说明: m) \2 u0 j6 k' C5 y1 a
/ X! |: R6 G' R. M* }
1: 13位地址线与16位数据线的宽度走6MIL就可以,每根线的间距为9MIL.
$ {. g3 ~1 J9 C0 h# Y2:时钟走线宽度12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔.时钟线一定不要有过孔.0 [, l0 _; W# O# N- ?8 d6 j8 h: x
3 QS0/1线的线宽12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔一定不要打过孔.
; q* }$ C4 N( Z/ J4 T0 b4DR芯片的高频电容要靠近相应的供电脚放置,连线宽度>=12MIL.其供电线宽度>=30MIL.单元供电LDO靠近DDR芯片放置.
, p, t, u! _ ]2 w- V5:REF电路需要靠近芯片的引脚放置,线宽>=12MIL.4 c' @, j, P) G8 E. b
6:整个DDR单元电路与外界需要用地线隔离.
; [- o$ K' N% q5 M( ~& b2 w4 i# A$ j2 ~; M
0 ?4 ]3 h+ ?. l0 G6 u/ r
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发表于 2011-8-12 16:56
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