在利用SIwave做频率扫描的问题

jomvee · 发表于 2011-3-22 15:41

EDA365欢迎您！

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

在利用SIwave做频率扫描的时候，据说Vsoure激励源应该放在实际电流输入端，Vprobe放在芯片电压PIN附近.我个人认为应该相反搁置，理由是：芯片才是电源平面噪声的主要来源，有没人同意我的说法？

shark4685 · 发表于 2011-3-22 16:15

从你的问题看你是用siwave做PI!

如果是这样的话.用siwave做PI的话一般从2个方面开始做
1.是谐振分析
2.是阻抗分析.

还有你指出的是电源平面一般是信号的噪声源,我们一般从字面上理解没问题.
但实际上电源平面除了有自生无法消除的ripple.还有高速数字信号的跳变引起的SSN等.
这些都是构成电源平面不完整的主要因素.并且都是由外部因素引起的.

icy88 · 发表于 2011-3-23 09:59

频率扫描是为了观察该激励源对系统其他部分的耦合，所以激励源应放置在板子上可能是干扰源的地方，Vprobe要放置在你想要观察的地方，也就是干扰源可能干扰到的敏感区域。激励源可以是电压源，也可以是电流源。通常我们使用电流源模拟IC芯片工作，作为一个激励源。

		自动登录	找回密码
密码			注册

在利用SIwave做频率扫描的问题

EDA365欢迎您！

推荐内容 /1