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本帖最后由 Xuxingfu 于 2015-12-28 15:36 编辑 : O$ L" C- g+ \* \4 V; A! Q# b9 A: l# x
" F* m- X" F& c& h1 }1.Autocad 邦定图导入Momentum8 I% D3 Y* h. K: I
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* P) y& }/ j/ Y- H) h6 g
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2.为提高仿真效率,提取需要仿真的部分进行建模,添加邦定线
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5 ?8 P6 ?: n5 A/ P7 W
3 a1 m' a- W; u+ [设置层
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" O# y- e% n" F/ U9 e7 m
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设置仿真器,选择有限元法,定义Port,频率范围,边界条件等* S q! F b5 j7 ?% X, H0 P9 V
5 F$ X6 M( _; l' _; b8 k8 d5 A9 ~
# n) q9 c# i! q' H0 E" D6 k5 ~
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3. FEM 3D模型,检查模型及层叠设置的正确性
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" c6 m% `' R3 X' D9 s$ h
. D% ]9 B, p% y, {5 X% o: y
& o! V/ W, d: f/ @; L/ Q& M ]
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4.有限元收敛情况
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- H2 C- K5 K# Y9 U2 Q: R(1)Mesh方法是一个软件仿真精准度很重要的一个参量,本例采用自适应网格剖分.
! M: h! h9 A7 }% F0 Y: a2 JFEM算法会把IC的整个结构分成上千个小的区域,并且基于这些立体网格来运算每个小区域的场值,立体的网格是由大量的三角锥体构成,三角锥的顶端正切与三个边的场量和每边的中心点的场量都被存储下来,每个三角锥内部的场型可以通过内插方法运算,通过这种把大结构转换成小结构的方法,麦克斯韦方程就可以转换为矩阵问题,并且通过数学运算萃取出任意形状的S参数。4 w8 }* l+ ^! p: X j" u
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8 S9 ]: f3 Q! O$ z& h% s/ U5 M9 Q
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* p0 }/ H0 b. W/ U' _1 z, k6 K
; z- \* @1 [" {( F" b7 p; Y(2)FEM判断收敛的方法是通过两次运算的结果对比,如果误差值小于一定范围可以判断为趋近收敛,如果误差较大,则会重新定义网格,让网格密度提高以增强收敛性,但在立体结构中,有些区域,比如结构表面,角落,介质交汇界面会有收敛不佳的情况,导致FEM算法消耗大量内存和运算时间。所以近今年都在开发基于多核的运算方法,改进结构的收敛性与矩阵求解效率。1 m$ ?' ~5 v. |) w/ b
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不收敛:+ _4 l& E4 [1 G$ I; i0 G
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a.模型有些部件没有连接好,导致缝隙处的网格划分很细 + w! _' y3 w) j' Q; u4 b
b.模型很细小
( E1 L M2 K/ M* T" Y% Z. t8 {c.最大迭代次数太小(怎么样也要10次以上吧?)
Q( c- ^ T$ A: x# ~7 O. Y5 gd.最大迭代误差太小(0.01以下应该就比较小吧) 8 ]4 S3 h9 T4 \2 J0 b- p7 H
8 K' _: W6 \9 Z/ m+ i5.仿真bondwire S参数,线损,隔离度:线与线之间的耦合
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6.特性阻抗:在频率较低时为50欧,随着频率升高Bondwire逐渐呈感性,这个特性会对射频电路带来灾难性的后果。) s3 x3 R$ p; e8 P7 E2 r n: N- V' _
如何降低这种感性呢?大家很容易想到减短Bondwire的长度,认为越短越好,越短阻抗越容易控制。但是在封装过程中,lead-frame会造成容性效应,所以Bondwire不是选择最短就可以,而是要找到适合的长度和lead-frame的容性相互抵消,将阻抗控制在要求之内。+ x7 s: Z/ ~) j& P( e. A* E/ C7 V
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4 E N) e' w' ^* U4 V7.芯片近场电磁场分布,可以观察线路耦合情况2 n: i9 L0 N6 e# o3 J/ }9 R0 w
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8. IC远场辐射图
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