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三星内存颗粒 ) P1 x: V/ ?6 H; T8 m, d3 H+ \5 p
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
* R$ p4 x( K3 ~" M. T8 \& v) L7 g1 n; V7 g
主要含义： + _8 B! }( T5 B! R. a
6 y1 m5 V$ G8 S$ n% P+ V5 c
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
$ r5 z" O D* y. k7 _2 b; [% T2 j4 O: J N' r
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
}" n( J; `. Y9 ]# k) A, U1 F8 t" N, R
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
& l! _+ v" U1 l6 r; l$ g" q. }5 E5 N8 c' j
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
/ }2 I" B8 W, b5 y
1 R( }/ S7 ? z# Z0 k$ N, Y1 b9 B& w第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 q" ?# H! I" t- h: U
q; B k0 h; F( P4 |( ]第11位——连线“-”。
}9 e% [# n1 K& K7 L4 d5 w
/ e+ C$ k/ a g& T第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
2 W; \# Z! o; ~/ k+ r$ o+ s# p9 |6 Y4 y' O
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
/ t6 t. H. ^* ]" {6 H
; z; c" u; h% T( x: S注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
+ S& C$ L2 Z! Z, n2 ?/ y6 C5 P6 ?2 o5 w$ p, b
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6 n6 a: | ~( q. o- d
7 _3 m& f( ]8 h; W" BMicron内存颗粒 - F5 ?% U' P2 \& n. w
: P3 W4 X' K4 OMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
y( c1 A: Y' i4 l/ s* J$ ]2 ^% Z
) n$ g' L: |# x: S0 B含义： - W! W- _ d9 h! D1 c
( y, k$ p& O+ b: G7 \! y' j4 x R ~MT——Micron的厂商名称。
4 w: ]$ O: V, }
" d: t9 o" V* a. d/ Y$ ]48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
+ Q% ?: Z) _4 P/ t
" `2 ?) k- @+ U4 Y5 W _+ SLC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 0 t6 E9 A; h) Z4 R
' u: h& X; r7 m; s8 G' Z
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
4 j2 C) _' s/ Z
4 c, o8 M8 q7 S0 u, `A2——内存内核版本号。
( ?* N3 f5 K, _. v: v, m+ T7 v. f* [) v% L6 t( v1 l
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
, ^" g/ I2 D+ r% t1 E6 n' b! E
+ n; R @* o' u/ H* v-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
+ x0 J4 g1 v. K6 a
& Q2 W; O1 H* |' F+ F实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
) h, N/ _0 u" a2 P! F
! z! X: K6 K- Z, u# a! [其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。 5 q5 s$ y2 J9 i" K! n
, Q4 D8 u3 `+ ^3 S/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
' U0 Q' K) M+ _- W) M; O, s' d
4 m: u; n+ q- t. B3 ]) ~西门子内存颗粒 $ M7 B8 j9 V/ h& Q
% ] J: D1 e: t- b& ^
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
2 i0 H) J4 E6 ^& |) ?* c. b. [; @; ?
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
$ l+ T, F% W* l3 Y
$ X0 _0 y3 \( P+ h5 k) w! s( GInfineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 . x* X) Z- ^/ u) {8 H7 J0 J
4 b! r) W5 O# G# o/ a, t
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； 2 B* N, L0 e: Q1 ~) ]8 n$ _
2 f. }5 l: X, W6 ?. ?-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
O) G* r$ i6 ^ _0 e
% z" v) h" Q6 U例如：
+ q' U9 `) k; r$ c$ K, }- f' y( `) e# N% a
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
; c4 [$ ?$ Y3 P+ B" ^6 @. E) k" |( N* k
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。 0 U1 j# }8 K' d( ^7 I9 a2 z) Z: Q
1 l9 S5 j9 \5 Z' Y# U; a
///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// ! ?: e) [# ? G& T1 ~8 B
8 ?6 m" }+ J8 U( d% sKingmax内存颗粒 ( t8 j' K5 q \+ o$ W" Y6 _' o# m' A
4 r8 }6 V, B$ XKingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 2 g" [3 m. r2 `" F- t/ z9 w
9 o$ P9 a* S; z& S; H- e容量备注： 0 J5 g& h1 |7 @. G% y0 P3 ]
' V" J3 L5 r8 j5 I1 U4 y0 BKSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
; Q8 `7 y& T4 i7 r7 I8 b# O; Y- ?
0 G8 h- u5 ~4 BKSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度； 4 F; G, ]9 v0 S+ D$ h' N
- z! L9 ~2 m ^
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度； + h4 H2 R4 A1 b7 q
' y0 ?. s0 M/ O, R/ I
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
8 v% l1 {, c2 l$ I+ `" {
2 H* v$ J, q# }" H4 i+ dKSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。 0 l3 h- f. }* ?* ^6 v7 g% _1 l9 G
v/ o2 o% v8 F% i5 ]
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： : w6 p. p/ Y% i5 F
% `$ i! O: R: d
-7A——PC133 /CL=2；
& z0 Y* A, S; X4 }. q+ c" _
3 H* |8 [7 c8 p-7——PC133 /CL=3；
6 Y7 ?8 ?' N1 k" v6 I5 B4 A; @( I: j
-8A——PC100/ CL=2； R$ O* l( D' K5 D" D4 [
. E1 t, T6 ^' h% s4 X-8——PC100 /CL=3。 : |& u" `9 k' v9 T/ R9 v
6 {# ~/ c4 B0 e. v8 f5 B
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 6 a t: h+ E7 [, i! z
: a9 _# v( b! y7 a内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
0 K2 z8 Q: `, K' e, ^通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量 $ [9 `4 g+ H: Q% O* x4 I
: ]9 F0 V. I$ W/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
% l1 N0 E# \1 W0 s6 }; r! \3 V) |: b1 r) x" o) y
HY颗粒编号
4 d* @/ F& i* F( @
& p2 y8 x* J; t% [6 ~- q/ X& g
5 I* g" V1 j9 U6 t5 x; x7 S1 }/ ~HY XX X XX XX XX X X X X X XX
]9 I& V& p2 h9 ^3 ~$ F2 k7 C/ B8 v0 T8 s2 c
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1 E5 {5 S& o6 w" r
" s6 E% G' L( L2 x- s6 w1、HY代表是现代的产品
7 @. R( u% I; k6 K4 y- C2 f1 R, L- K6 s) H" V
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 4 W7 K* u2 U+ c0 u0 p( U
$ }% Z; d# ]9 s 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
) f+ Q, Q( K: n w8 w
+ z' A& @ I' D1 |, } 4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新 , H! J4 R! I7 A" L
7 B% w: z4 b& l# @1 |9 M9 i 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 ' s+ U/ T( ^1 t$ t- q
. s- B T. v, l$ K 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
8 L4 K1 g( [" f. S# B" l) d7 a; V$ h/ k0 y
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
, l: H$ z5 s7 @! H! o
8 _4 R. s/ B" S/ d8 z 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
, r) ~' ~; S2 K/ {6 j. V0 h
1 h; I B) m$ | 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 , h( h. t! P# w
) i/ R& `$ ^4 N. D" J' v1 |8 D 10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
8 J& D/ l$ p% b1 g. \& l; }9 `/ ^6 z% |6 o& j
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A & K1 T0 Z2 ]: Y4 ^0 m
/ q" W! m7 A6 ?1 B2 d0 P
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4 C4 M( H2 n4 t5 w8 x) n; R
TOSHIBA DDR内存: ! e* Q/ T0 b, k$ V
* ~% j2 p# A7 J- U5 R4 s
TC XX X XX XX X XX X XX ! k( [( K2 ~- S* T* S C
2 @; ~9 j7 g+ g D9 |; I
1 2 3 4 5 6 7 8 9
/ R5 v) M4 z2 S& c) z0 G/ h/ p# u9 T$ }( A9 E: @- Q# t
+ Q. z) s% l* k. C
1、TC代表是东芝的产品
4 e* M* T+ c- R5 b, O- \0 P$ Z6 ^: X, n/ _ m9 ~
2、59代表SDRAM代表是SDRAM ' O$ ?% u$ V1 ]5 H
0 x- q# ^' U: ?1 e: S/ l* D! F 3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM 6 O+ V9 P4 \9 u3 u) y( T/ Y) J9 {
! u2 `. Z8 ~3 @% I- j& n j$ F
4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
9 ]/ E6 D9 E- q2 K( T; }
" a5 o$ i0 K O 5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
7 K/ \* f( r* `* B' ~
4 R$ y, k1 v5 [: D, H 6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新 + \/ B. H/ C) N4 u9 Q2 N- @, Q
1 J; D. S4 \8 `+ O 7、代表封装：FT为TSO II封装
- J: G6 x0 f9 t
- X0 w0 X+ P5 Z; _4 L 8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通 + \- d6 z- _" N1 V; s* E n9 k
7 h3 M) r2 E3 g- X) D/ h8 W 9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3 ; Q8 d5 I0 }# J7 q6 E/ q* {' Y
+ [ S; e. D4 w+ r% o///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// 7 G% f% \! u- z
0 U: V* Y. Y) {. X0 _; U" P9 z宇瞻DDR内存:
$ e5 Y+ [6 i% P
" d- M7 b. R0 \0 NW XX XX XX XX
8 G3 e0 ]: Y: w9 E; N4 q& W, X3 x+ s( K
1 2 3 4 5 5 x( b& D9 v2 n% y4 i" m
, n' J$ ^! Y( t
/ A2 @' @$ l0 ~0 H ]
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 8 T( F- S- l& |
5 C3 `% _! v2 }8 L/ n! |. I) R 2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM ) p! `4 x; w' i+ Q# L
$ u6 A M7 [5 a$ w
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H； # V, \, |# S) {$ K# L7 x8 `1 i
( o; p: |. L2 d9 A4 t 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
1 W: m+ t6 V4 R8 Y
4 B9 @& S T, r# ^ 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz |
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发表于 2010-4-29 17:47
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