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三星内存颗粒
2 L7 U* U8 V7 j2 }编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X : y6 l7 d' d7 @: s1 r/ ~
: K1 g7 _! B8 G
主要含义：
: B. C$ J; q, Q* l& r
3 q' }0 \2 s* c1 W3 p第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 8 C1 p/ k" e) w& \) W$ }- Y3 H
% P, _* k+ c" `
第2位——芯片类型4，代表DRAM。 2 T3 C# Q/ r9 M+ C/ q( M( l* q
8 V$ I) ^6 l, `& v+ F' q+ v第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 " H# I. ~* `4 s% V8 j
" c5 }! ^+ K* s1 H2 |4 S' |
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
4 a7 D) @* j8 l: L: V, z
3 ~- {9 g( z. |5 Y: B& e. `第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 8 l+ W9 I$ A" s3 D
! u4 p1 C8 M8 V
第11位——连线“-”。
- |2 e' { i4 c+ L0 F/ }5 i/ R u: r) y. c& [# z- o
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。 # x! _$ ~# i: h' |% T0 M
/ k6 v# @* q2 u/ H1 U
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
6 H" {. L2 p3 p2 U5 k1 A9 V" c* s' H- p5 T5 t$ }
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 ' s: P6 e# X, w/ m4 Y
' u' l& e3 o: W) d% ~& L/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
% ?5 [; g+ H* Q" r
& w5 ?, ~' @& M! I# p5 w& sMicron内存颗粒 # p" F. v! |5 X+ F' j* l
" Z" ~9 M6 o U" c# l8 T
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
6 b* O6 }7 [0 Q6 {
, y2 l* l, H6 @含义： . z3 @+ l* }4 g
- {# f, ?+ a0 H" a) p# @
MT——Micron的厂商名称。 & T9 n% Q( b2 \0 R! r- z0 J: E
5 v) I3 A; O: n) r9 c' Z
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
( C6 X; q, f" T4 S' p# B$ W# f9 m! n& _8 o
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 / K( a+ \0 F* s. z4 D: U
7 q7 M; j- P( b
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 2 N1 E1 d2 s1 C! O$ M
- O" C5 v: R. n3 Y! [9 d3 \
A2——内存内核版本号。
. V( x: O9 q# }5 i; x8 d( D
9 n: W5 g3 m9 w2 D( V+ f+ V) X- bTG——封装方式，TG即TSOP封装。
) O4 l. ^: \9 o- a8 H7 R2 j
4 i# g/ `1 Y1 ]-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
5 Z2 m" n/ _) H& i, D" J; `5 m0 D& J. f2 p" i2 `" V
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
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* P# L' g& f) j其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
1 @, v# {! q- O- Y) A# M4 E+ F2 o. j% A/ }0 l4 E. S
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" T6 v5 E% Q7 h; V4 k: r' n1 @5 d M% i- u# x9 k8 S4 s1 |
西门子内存颗粒 2 R7 d9 s: D: u. ]( L6 x# N
7 W) z$ B$ O# }目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
( C$ }2 _" F- e/ c0 I" g" L
! {- b$ _1 c1 O& d% j5 s' oHYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
5 f( k9 c( V+ h( G. F" x& i4 P# j9 u0 I
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
; M7 x; w' t0 X+ r* }+ w+ ?: z5 R. Q: h- O
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
" G1 m% r3 g+ A
4 x! U' Z) o4 z-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
- f. {- X5 y( w/ l6 |, Q" e+ ~ c( N+ u, j, m- F. i) n7 o: a5 K
例如： ( C, \$ Z; w+ }* y
( d+ D% A! m; _1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 : A( m0 a1 R& |% W9 w& g7 ^
. q! ]" j8 C( q/ m" x1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
+ H0 n: _5 k( ]2 t+ c# x9 @" G
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) A" ~! g/ H0 M+ X6 ?
Kingmax内存颗粒
( |; z) r/ Y: a
+ h, R) Y3 r* I- KKingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
) s- _! K) s0 ]( B* T# r) n4 i2 {! w5 |/ n9 x3 s8 A/ `
容量备注：
! C8 k; q+ k8 u( y ~1 q, z! R2 r/ @/ t
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度； H1 T0 o9 r: J, y9 S
! X% i/ S, }1 X& D$ Y+ i* a0 dKSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度； : g6 H( x; T( i
& C! Y( @- n& t) u4 t
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
6 [& ?. Q4 Z) ]0 D' X
, G* \! U8 |8 @. OKSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
& q8 T0 j& A# M0 n7 g
0 s* J9 Y1 i. v" O6 fKSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。 5 D! s d$ c% K4 X9 b! \
n p1 A. k2 _* c1 d/ n' j6 LKingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： ( N: G, Y+ v0 X6 c. Z# I6 V
6 k$ J9 ^" F" q4 n: h9 O
-7A——PC133 /CL=2； 2 J# d0 p: O. _8 b6 }0 L
6 [ v2 W6 G5 ?7 Z8 e
-7——PC133 /CL=3；
o7 ^' M* d( p7 T/ U r
) o) x. |0 ^0 Y) L0 o& f-8A——PC100/ CL=2；
( M( Z" w- Z$ y1 L6 i, X5 d+ w T$ m7 B" {0 `# s5 ~3 k; }
-8——PC100 /CL=3。 ( x9 a, J# p+ ?, Z# W
! X0 V9 e+ [4 E7 B1 f/ |5 G
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 N" r6 |7 g" T% F- B$ l
; R1 ], ?4 U9 w' q& z, ?- |内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
6 g, s+ c/ T, c8 {9 \2 N通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量 6 w6 Q8 S6 A( `7 F
8 v9 m2 W: O& E, E
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7 ]5 E) }+ q! ?' v1 n% `) R/ j m4 P0 n% l. t) T
HY颗粒编号 # i0 ^! X/ }; U3 R+ Z
/ n; ^! t6 N( G4 l/ n& l; H5 {
; H @3 e% K; e: w* e( A! q" l
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
- R$ _; w2 z) v, w& Z+ r, T1 b$ M" n2 q; B" V' C- d
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
/ j# Q- R! Z7 x$ U$ c& _ x
& Y% K- u, C1 c/ j! i1、HY代表是现代的产品 % v7 g/ z7 t9 |
+ I7 Y$ D7 h; b2 \% K
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
" |. W+ s' g+ B) l: z9 y
5 S% R- f4 J5 i; _ M* q( n0 z 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V ' @0 b# h- R C5 y! `- \0 I
G- v4 g7 L. C( C5 V/ } 4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新 H* R. d2 L+ C% ?0 [2 _. B u( k$ t
4 l3 [" Z% L n2 ]+ e& c 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6 _+ t9 n2 z% z* v' w- N' U8 |. | c3 k" ~
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 3 ?4 K. B+ q6 S1 c
' ?- \# T8 M' X/ w) ]2 R4 e' M" X
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
; C. J. s1 @! A/ U, p/ {- A4 T! Z8 K/ U3 U( ^" K, [) h
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
. h6 d; B8 q6 d' I% U" _' w: C5 J9 C( h u, K' z. z4 C) Y3 G }
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
2 U3 X. o4 u+ n
$ `, Q. ]3 n$ Q. H3 Y 10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ 5 s2 k5 i% d6 F) @( @9 H9 B t
5 S, `3 N6 Z& e) P# y" X 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A + Y" e" u- J4 Z: L3 R% h
$ b$ p2 i- ]( E4 C1 K+ r/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
& E% D/ P0 a0 W* \' R; A8 N$ m, [/ P3 \. w9 F
TOSHIBA DDR内存: * ?( Y6 z) I r3 |; H; H4 F" J
) i! ?1 Y9 N+ w; x3 E1 i- K4 e
TC XX X XX XX X XX X XX
. J+ m% ]- f1 Y8 U* _, S
r5 c8 Y' L8 R) `1 k' _3 I- E1 2 3 4 5 6 7 8 9
9 u: \' b# }# z# x1 B
2 I0 a5 I+ ?+ m: c4 V( }5 g$ b& Z3 c" A! u9 I0 d, S$ N! H- K, h
1、TC代表是东芝的产品
3 |, k9 u- z' a- a
6 D2 h/ a4 {! J9 r, d 2、59代表SDRAM代表是SDRAM
1 k5 p. Y! }# h; G
# E8 @3 }6 B3 i' n a2 X1 F9 t 3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM / k2 Z, a8 o: v, E- n* A! t: v
, Q; d$ z% W; d7 {6 }/ x
4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
; }' n! g+ }) @$ `$ E6 S' F/ G* y: N7 Q1 X, ^* p
5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
: K! K+ M* E7 p6 n
+ _3 Z5 x( y4 \! r! z5 Z8 | 6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
/ h: D- F, n1 T" |4 A! P
, B5 v# k. k2 M' \+ Z U( | 7、代表封装：FT为TSO II封装
! z s. ?1 F/ T% [: S% I9 Q2 W/ z8 ^2 E" J/ l. ]' o
8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通
9 n5 E( g2 A3 Z( L7 T1 |% M" K L8 L4 J
9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
- K! X" ?$ m8 o5 _. \" h9 r: k2 h
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( b& ]/ a1 m( x' p
宇瞻DDR内存:
]$ D; z1 m7 d
# Q* G9 b5 c' B- rW XX XX XX XX
/ n5 }7 Y( l8 ` W3 f" [
! @! t7 L3 C. D$ K0 Q1 2 3 4 5
' h1 s0 Q* E* P' ~) E8 o D M9 o8 w! q; U9 F+ x- K4 @
3 t) I( o8 l6 K0 D 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 F/ N! w y8 B1 K x) u4 C H
# b( c Y' e, r* ~+ n0 m
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM 9 a% ]& O: [4 z/ k7 y2 K W* n) W
# w& s) D# i4 ?5 Z: k& y 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
0 _$ P" O/ ^ y% l/ u) s' B! O5 ~4 t$ Y: A
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
$ B& X7 ~, w! D& g& U
6 L5 X& N/ G; W/ F# G" l, k. L 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz |
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发表于 2010-4-29 17:47
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