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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑
9 O! N, s7 D" W5 ~" }
# S' ]' u+ J1 ]6 l' B做一个六层板+ ]1 x. z* R6 P. j) f9 p% J0 m
主芯片是DM642
/ ^: ^4 y+ w6 ]! d4 J在做SDRAM信号线仿真7 z2 z" C1 c* [
/ K5 i# x7 ]4 j( Y- K0 l1 o看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻+ p6 T" Q1 Q* w- t( a" r8 {
& e# f0 y R& o9 f
我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil，阻抗为73欧姆
$ S* q% d7 N( r( P9 V匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil，阻抗为66欧姆4 W" x9 H: L0 I. D9 y5 F1 Q' F8 I' c( e9 [
. K/ O3 f/ _2 [7 G* D) @" ^3 Z
但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
' k0 d; ^% {$ i |+ D1 H6 N5 m2 g8 m* R5 s5 H5 k1 @
改为68欧姆的匹配电阻做仿真，波形大为改善* [/ D+ ~; i) u( O, C; W, Q
P5 H$ C# ~5 i# V( d# U+ Q请问我应该用哪一个组织的电阻呢？
/ D% }: P: W) a8 S; a7 H用68欧姆的电阻波形好点，但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢？' S9 [3 {( [2 C, u2 E
" l; T! n3 o* G8 B" b' a7 x还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长，是不是起不到匹配的作用呀？# e* X7 j/ O9 V4 h7 N6 z: q. ^2 L
请大家不吝赐教，我都快急死了7 H5 w( e9 x' s: N
拜托了！ |
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发表于 2009-11-28 21:28
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