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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑
) U( e* h3 B* f/ b8 \9 T
/ x6 j- H4 t K做一个六层板
2 `+ u- v# W. v. y! L主芯片是DM642
f/ L, Y. ~" }- y在做SDRAM信号线仿真
& c- p3 O$ Y: b8 E9 ?" }% T/ N3 S5 U! K0 _& y) L! O; {3 c: U
看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻
7 ?& p/ b% v& ^. k$ c! ^: ]( [$ W0 c/ p
我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil，阻抗为73欧姆
+ s! H q$ S' B/ r" p匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil，阻抗为66欧姆! H o; o, ^$ L- |( n
- g: h6 R* V' C2 v& ]
但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
, D4 p B- F7 `; z/ P$ i- g, p X f
* y' ~0 @6 Y6 j改为68欧姆的匹配电阻做仿真，波形大为改善1 ~/ y* u. z+ c P# ?' @, o
2 V! j6 J% M& M5 h+ E
请问我应该用哪一个组织的电阻呢？
, O; A+ s1 f8 L* J$ x. _用68欧姆的电阻波形好点，但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢？
, f0 X, d7 V) }- `! p/ t4 x
: m$ v" [$ `% o; ?1 }还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长，是不是起不到匹配的作用呀？
$ u2 V/ {! y# o6 b请大家不吝赐教，我都快急死了1 n. `7 X! G/ [
拜托了！ |
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发表于 2009-11-28 21:28
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