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本帖最后由 超級狗 于 2018-3-8 22:53 编辑
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MOSFET 電晶體閘極電阻（Gate Resistance）的功用% m! \; c$ V# v: _$ N
MOSFET 電晶體會在閘極（Gate）管腳串接一顆電阻，這顆電阻被稱為閘極電阻（GateResistor），通常被標記為 Rg 或 rg。4 f; T& m. n8 t, Z
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閘極電阻（GateResistor）的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴（Ringing）現象，閘極（Gate）本身有寄生電容（Parasitic Capacitance），若閘極（Gate）的控制走線帶有過大的電感，LC 會產生振盪。
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振鈴（Ringing）現象會讓 MOSFET 電晶體，處於要開不開、要關不關的異常狀態，電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙，嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻（GateResistor）有點類似數字電路中的阻尼電阻（DampingResistor），能衰減振鈴（Ringing）的強度，而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET 或 IGBT 電晶體的控制電路。! `+ |# F8 w( K+ _
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发表于 2018-3-6 10:51
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发表于 2018-3-8 20:35
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