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EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › 电子硬件设计论坛 › i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题
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i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

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gwei_0210

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发表于 2017-8-18 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊7 J0 Z" V' l4 I4 B

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總有錯誤訊息吧？>_<|||  发表于 2017-8-18 15:48
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Aubrey

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发表于 2017-8-18 16:01 | 只看该作者
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

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gwei_0210
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:11 | 只看该作者
天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:12 | 只看该作者
4 Q) t) |* S- L
DDR Freq: 396 MHz
( a. D$ F5 t5 t& S
% ^" ~" e$ ]2 F. [7 K& Qddr_mr1=0x00000000" @8 k( x4 h. }: `( V, U
Start write leveling calibration...* |5 c& t- ~4 u" n. {
running Write level HW calibration
5 B/ I# w( J7 a8 uWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script8 z8 [4 R' h  J# f' T( U
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007+ k1 _( J* ~% D* ?- t
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008; W7 \( ~( R1 I7 \
Write DQS delay result:* b  B. T% p; d: G/ F
   Write DQS0 delay: 7/256 CK
1 O4 R3 S6 J2 H8 m9 R   Write DQS1 delay: 3/256 CK/ m6 ?6 P3 s( C6 a' ?7 w% O
% G% g( O2 u' v( F. G. B# W/ Y
Starting DQS gating calibration
+ m/ U; {8 y( D4 H+ m/ x; i" v. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
) l+ C5 a/ y3 o" l+ v/ \. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x000000115 \5 Q3 `$ x; v* M
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
2 A$ |5 [4 m# @/ t3 D4 I+ a. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
/ Z. U# [( g# }+ Z4 n. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
* M( N8 H- A, p& f/ x. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011* ?& l" [+ i% t
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
! O$ I) ], z$ S8 a& v& F# R2 Q& A. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x000000113 O8 ^2 X8 |" f8 _& L. Y
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
8 m! H4 \. t2 t. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011( D$ @' d8 I8 z4 B$ n7 ^) S5 x
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
6 T2 P) |) t& O. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
( ]0 e  z4 r7 Z. s9 h3 F. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
; `! i' ?- e: g# @8 f  z. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
( W% c+ ]: }( w# m1 H6 jERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
. _  U; [) A9 ~. a5 o! P. {dram test fails for all values. , ]/ {' a4 I5 A+ a$ }# V3 s, D
$ U2 e& X9 ?% @
Error: failed during ddr calibration; u4 D6 S; H/ `$ d+ ^
$ N6 y7 W& I9 V6 e$ Q' P$ n4 ^2 {% z

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Aubrey

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发表于 2017-8-21 09:58 | 只看该作者
4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

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kele1983

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发表于 2017-8-21 10:41 | 只看该作者
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

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gwei_0210
试过，也不行  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
% m) T' i# P+ K5 j可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

, d1 J. w3 ^6 j) X6 g试过，也不行
3 d2 Q5 q4 d3 X

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kele1983
我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。 还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:37

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01& m; Q5 n, \! S/ ~3 ?
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？
+ d+ W. q7 _* I/ D! b0 m1 j
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的2 S( F( n% b; s  k; k' P$ D

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走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟這改變，阻抗有可能會受到影響。 如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。  详情 回复 发表于 2017-8-21 14:28

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:11 | 只看该作者
DDR Freq: 396 MHz 6 {" ~1 P2 F, l  ]1 n6 ?+ k1 K

! ]3 a% L, C+ {" N$ V, f, cddr_mr1=0x00000000
( x$ }; l6 `( JStart write leveling calibration...
# b  \: a  D/ o  Grunning Write level HW calibration3 f+ x5 Z5 v) U% U- Y; ^5 T2 W
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
9 Q, _$ S! K6 A" K( e, T    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
4 g3 t& Z- d3 s    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
3 w' R2 U, n7 FWrite DQS delay result:
  ]) ?6 G1 ~, X   Write DQS0 delay: 7/256 CK
4 D! k$ y, E& x& x& H* e; c5 Q1 d   Write DQS1 delay: 3/256 CK$ x7 A( r; e' V4 Q8 X

9 \$ A+ ?) p; U% A- tStarting DQS gating calibration- L; x: C" P: @2 N  P5 m2 d
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
% x3 }7 O2 q5 ^1 x8 ?( d* U( @. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011' R' m* F7 r% I/ o9 r; n7 u" J  C3 x
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011: C& ?- y4 F& Q4 }2 d. n- D
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x000000119 l& L: ~& I; j
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
- [3 C! i+ t5 i# s7 b. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011. l8 [9 j& `3 I0 d5 z" `( @, k
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
% b$ o4 ?; j. F2 y  L8 W/ k* w% c. w. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011& a- @+ h0 X5 S7 n( X
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011+ M% H7 u) p8 }4 B% o! V) K, f( Q
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011/ |8 c3 _9 H$ r3 e. K
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
" N, s( k- B* S4 J( s! ~. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
3 T; n! z3 _$ b3 G6 d! K" u. T' h. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
6 U! {+ _6 ?" b  ~3 ?' g. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
+ @7 c) O9 }) x! ?8 ?0 ^4 YERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
/ Y* X/ k, G* q9 }4 Q/ m) Pdram test fails for all values.
1 `" n" q8 J" z
7 E6 _/ _+ X7 n  V+ y6 uError: failed during ddr calibration
# t% p% n6 @5 W; A1 ]' j

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kele1983

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发表于 2017-8-21 13:37 | 只看该作者
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10/ A1 p! P9 _- ]' b  o4 G, B! W$ s
试过，也不行

) a7 W9 ?  N, W7 n6 n) O0 y  o我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
' L1 M" T! I# d1 U4 d  s( W8 f还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。( e- q8 f! f; D# N- |
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。7 N2 a9 b& Y" P+ \

' ^; D8 a0 I1 Z8 n4 J

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发表于 2017-8-21 14:18 | 只看该作者
挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
/ U& G! P% o1 ?: W
' l2 s! u" u8 H* ohttps://community.nxp.com/thread/365106
* h( L7 a6 y0 \; @( B
6 t' R( z( ^& l4 N) N8 {; ~9 Y0 {* ~$ L
  • Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
    * c- c. x, h# b, h& W: Qhttps://community.freescale.com/docs/DOC-93819
  • Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
  • Try different DDR_SEL options  (11 or 10).1 m" y4 V: l, L# `0 ]3 V
    10 : LPDDR2
    5 F0 B7 A! \) a6 t  l11 : DDR3
    : I) U, L5 [& h4 ]3 \

) _$ e5 N. N4 J+ i2 d' i1 q/ y5 d% z& w! Z; O9 t1 {$ j& K
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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超級狗

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发表于 2017-8-21 14:28 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑 1 ~0 D: W2 P% z4 _. k
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:109 z" t8 R! r" V/ g! x
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...
/ ?, C/ o6 U) C- E; a
走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。0 |$ p( c7 K9 C5 j3 \$ H% C2 k1 m5 ?0 }, U
+ U: Q  H8 N% u* Q2 V* b( A
如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。! {1 R8 W9 D6 t
& a4 l# x* I5 c$ F' ~* n. d/ S

, @6 @5 }2 `  ?% a8 u
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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duzz

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发表于 2017-8-21 16:40 | 只看该作者
狗版主，这么翻译飞卡要气死

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肥死卡好！>_<|||  发表于 2017-8-22 08:16

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 16:54 | 只看该作者
已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

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zxk

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发表于 2017-8-22 07:16 | 只看该作者
路过，学习一下 mark

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