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MOS管开关电路的疑问

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发表于 2017-8-29 10:31 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1.如下图所示,用单片机开控制+5V_OUT的输出,后级的电流只有10几mA,这个电路设计是否有问题,mos管为PMOS,输入接S级,输出接D级。- K: N0 B6 d) g9 v- Z  @
  我看很多开关电路控制脚都有一个三极管,那个三极管实现的逻辑是反过来的,我这里可以不需要吧。% R2 f. `! E/ Z4 x) S! A
2.像这种貌似不能用NMOS实现,那么能用NPN或者PNP实现吗?
2 V! {2 w# d; r% r
4 ]2 ?; _4 ]5 m/ Z2 K- F3.还有一个问题,PIC单片机(5V)检测一个信号,正常就是悬空或者接地,但是也有可能操作失误接到24V电源上,这个该怎么防止烧毁单片机?1 _& J. V0 l" S
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发表于 2017-8-29 10:52 | 只看该作者
1、你的电路理论上可以使用,但是会有很多隐患,比如你的单片机需要一直输出高电平,才可以关断,而输出低电平,则输出开启。那么在你单片机不正常或者刚启动状态、复位状态,或者你在烧录程序状态下,引脚一般为高阻状态,你的输出很有可能会开启。②高电平是输出关闭,低电平是输出开启,那么就看你的输出频率了,正常设备上,需要性能稳定,那么输出控制最好是最低功耗,那样我觉得话你的控制的方式换一下更好,当然如果你的控制输出部分开启状态远远大于关闭状态,那么此方式你也可以保留。
, X4 m; M  M/ J3 Y! _, u3 b2、至于是N沟道还是P沟道还是三极管,都可以实现你的功能,一般用MOS管,用于后端电流比较大的情况,你这个后面那么小的电流,我觉得三极管完全可以。而且价格上 三极管低于N沟道的,N沟道的低于P沟道的。从价格和实用性上将,三极管我觉得更合适一点。. y) p1 k: {& P7 M& L- m
3、检测信号部分,你可以增加一些保护电路啊,比如常用的有ESD管,TVS管,压敏电阻,等等。这些都可以。当然你要自己去选好参数了。

点评

谢谢回复。 1.正常情况下,不考虑功耗。就希望休眠情况下 (PIC_CTL置高电平)时,开关断开.无5V输出的时候 。耗电最少,这个时候是电池供电. 如果在控制脚接一个三极管,这种在休眠情况下,PIC_CTL为低电平 无5  详情 回复 发表于 2017-8-29 11:39

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发表于 2017-8-29 11:05 来自手机 | 只看该作者
门极控制最好用三极管控制

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发表于 2017-8-29 11:30 | 只看该作者
应该可以,可以在VIN和G之间并联一个10K的电阻,这样默认情况下PMOS管是关闭的。如果成本压力不大的话,可以用一个load switch。

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 楼主| 发表于 2017-8-29 11:39 | 只看该作者
zxk 发表于 2017-8-29 10:52+ S2 d7 M7 J2 \- G* t
1、你的电路理论上可以使用,但是会有很多隐患,比如你的单片机需要一直输出高电平,才可以关断,而输出低 ...
. v0 `5 c2 B- G+ ]. s* j
谢谢回复。/ D  k) c  w) O
1.正常情况下,不考虑功耗。就希望休眠情况下 (PIC_CTL置高电平)时,开关断开.无5V输出的时候 。耗电最少,这个时候是电池供电.; d3 k- F1 E$ v2 T" t
  如果在控制脚接一个三极管,这种在休眠情况下,PIC_CTL为低电平 无5V输出,这种情况下是不是耗电变少,我理解单片机上拉应该比之低电平耗电吧。- I6 |8 K& s' Y4 G
2.如果用PNP,那是不是还有一个0.3V的压降,这个有风险吧.3 L1 B3 c  L9 n2 i0 i  Y
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发表于 2017-8-29 17:20 | 只看该作者
你这个做出来了吗?& f! Q$ y* w4 ~+ `9 l
有什么问题吗?
$ j, R; [& p& ^5 h7 {用PNP没什么风险,MOS管是依靠Vgs差值确定状态。

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发表于 2017-8-29 22:52 | 只看该作者
1,这种电路必须考虑单片机不稳定或者其他情况,要给电路一个安全可靠的状态,你看你是默认让关还是开,就选择合适上下拉,三极管一般来说是因为驱动电压的差异和安全考虑,比如3.3V或者更低的逻辑开关5V的电源,你是没法关闭或者打开的,只能输出0/3.3;
9 M% I' ?5 ], N+ W4 n! C2,三极管Vce原因,一般不用,电压合适选择合适的MOS损耗一般是小于用三极管的;9 [2 a6 A& ]6 i/ U
3,看你环境了,比如加个三极管把这个信号接到B级,C级OC输出给单片机。

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发表于 2017-8-30 10:59 | 只看该作者
PIC_CTL这些控制信号的电平一般是3.3V、1.8V,直接接在G级不能实现开关MOS,应该通过三级管来对G级置高置低比较合理

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 楼主| 发表于 2017-8-30 15:23 | 只看该作者
本帖最后由 lize314 于 2017-8-31 10:48 编辑 - E( k! \$ P+ b2 U' h

* N4 i  a& t+ G
. c8 Y1 T# E& ?; S2 r- r后续改成这样,R44 R45调试用,目前也是先弄个板子试试,需要实际测试下电流。
4 c: s7 W6 y7 j另外,这个PMOS管有什么推荐么,打开安森美的官网感觉不好搜索啊.....
# H- P8 @5 d0 X- l>>>>>>>编辑下:最初的电路图错了,应该是PMOS的S级接输入(+5V),D级接输出(+5V_RF)
! B# `' ^3 m1 w+ c8 r0 d

点评

个人感觉还是要加三极管,直接接IO的话,感觉IO灌电流大,若是加大电阻,电流小,又影响开关速度。还是加个三极管吧  详情 回复 发表于 2017-10-20 15:11
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发表于 2017-8-30 16:30 | 只看该作者
改后的电路没什么问题了,基本可以直接用

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发表于 2017-9-1 15:09 | 只看该作者
来看看% C& Z! k0 Y% {5 `. `1 V4 @8 q5 F

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发表于 2017-9-1 15:33 | 只看该作者
这个开关速度应该比较慢,应该是 毫秒 级或更慢,如果对开关速度有要求需要考虑一下。

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发表于 2017-9-4 08:52 | 只看该作者
学习了啊

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发表于 2017-10-20 15:11 | 只看该作者
lize314 发表于 2017-8-30 15:23
7 \- v6 R- n, M- I0 V* k5 ?后续改成这样,R44 R45调试用,目前也是先弄个板子试试,需要实际测试下电流。
+ d" Q/ K% |; A: C另外,这个PMOS管有什么 ...
2 T8 @0 [7 T+ ?. o  M2 E
个人感觉还是要加三极管,直接接IO的话,感觉IO灌电流大,若是加大电阻,电流小,又影响开关速度。还是加个三极管吧
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