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去掉LDO的输入电容,LDO的输出纹波反而减小了,这是怎么回事呢?

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发表于 2017-4-7 11:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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一个LDO,前级加30uf电容,后级30uf电容,后面加载100ma。输入10v,输出5v。这个时候LDO前级纹波在500mv左右,后级纹波300mv左右。把LDO前级的30uf电容拿掉后,LDO前级和后级电压的纹波都很小了,10mv以内,满足设计要求。
! x; F2 D+ c' P9 a: i* {. Q( ^+ h% a) J

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发表于 2017-4-7 23:47 | 只看该作者
踢哀TI)文檔
. x8 C% h% l+ G: \+ O5 H  b# D# U3 J

LDO Output Current v.s. Output Capacitor ESR.jpg (53.61 KB, 下载次数: 6)

LDO Output Current v.s. Output Capacitor ESR.jpg

Output Capacitor ESR v.s Capacitance.jpg (70.38 KB, 下载次数: 1)

Output Capacitor ESR v.s Capacitance.jpg
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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 楼主| 发表于 2017-4-7 11:18 | 只看该作者
我顶我顶我顶。。。

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发表于 2017-4-7 11:25 | 只看该作者
帮你顶
这个家伙很懒,从来不写个人签名。

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发表于 2017-4-7 17:02 | 只看该作者
从手册上看:The input capacitor (CIN) compensates for line fluctuation. Using a resistor of approximately 1 Ω in
' T/ M/ [0 X9 Y/ ^series with CIN dampens the oscillation of input capacitance. % s* K% v7 `& s7 c" X
' d2 x6 x: F! `& v
The device is designed to operate from an input voltage supply range between 4 V and 40 V. This input supply
8 i3 _# A8 l& H; z  I( b3 }4 dmust be well regulated. If the input supply is located more than a few inches from the device, TI recommends
, w2 K, T% [7 Z+ u- C3 d3 S) Iadding an electrolytic capacitor with a value of 47 μF and a ceramic bypass at the input.& K5 S: s/ V6 ?+ O) |$ n, q
5 c4 W% t8 \! H6 V2 U0 Y1 C; h+ k  D
你前面的电容是贴片的陶瓷电容么?要不试下47uf电解电容?看到上面需要ESR接近1ohm的。

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超級狗 + 3 有看書!^_^

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发表于 2017-4-7 17:55 | 只看该作者
顶!d=====( ̄▽ ̄*)b

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发表于 2017-4-7 20:49 | 只看该作者
后面的滤波电容按手册上面的就行,之前一个LDO电路,手册上面写的是2.2UF,我放了一个10UF,一个0.1UF,在上电的时候就有很大的纹波,

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发表于 2017-4-10 13:24 | 只看该作者
虽说一般是严格按照手册上来,不过这么挑电容,也不是什么好芯片。

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 楼主| 发表于 2017-4-12 10:44 | 只看该作者
我顶我顶

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发表于 2017-5-4 10:36 | 只看该作者
我顶,不错学习了

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发表于 2017-8-26 11:00 | 只看该作者
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