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发表于 2018-6-17 18:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样: f1 V0 Y4 D! C, ~
它们的共同点:
9 z. y8 H: P1 ^. f( p9 F1,统一排地址:但地址不一样7 _( P+ k' Z2 c5 ?& e
2,编程方法和的函数一样2 E8 E# t, A5 l! Q2 k6 b
1,先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
: M2 Y8 v3 P8 C+ X2 q2 a+ E( ]! o5 z2,Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32);写+ ~7 ^! @$ u* K% S) {- f
其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32);
1 B% t3 _- ]6 {6 }: {+ C3,HAL_FLASH_Lock();锁住写% e- a7 V- W/ D6 W0 j3 {
3,擦出方法和函数一样
7 P9 @9 |" ~5 o7 g) UHAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)% S3 N- R& ~! b$ A
4,读方法和函数一样
! H1 V9 N  L" z; n, NRead_eeprom_int32(uint16_t addr)6 ]! p" w8 J- I, y$ S9 Z7 S
不同点:" x0 U$ C' v6 w# k
地址不一样:
- ]: \- N7 \. B' K+ Q# B1 eEEPROM:0x08080000开始的2K字节
9 ?8 F. y* c4 O: `8 z" ~! x/ YFLASH: 0x08000000开始的空间(大小型号决定), 其中你想用的FLASH空间。
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