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jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 14:55% Q) O3 z% D6 b1 E) f& U0 P! f
Si2305SD 在 http://www.analoglab.com/library/mydevice.lib 裡面有一段源。) p* }$ k4 i. p6 w6 T- i; W
% A* ~3 G8 |5 ^; ^/ @: z*////////////////////// ... 0 H4 R% b$ U9 A1 R* ?
版主,再请教一下,有没有模型里面的各个参数介绍啊?
' [5 D& O' [# @8 ^( R
, b( y1 s8 Q2 V5 U3 N' O% R*p-MOSFET*50V 1100mA 0.8 Ohm*Add_in_Line+ t& @( `% N5 E- U) ~
.SUBCKT BSP315/INF 1 2 3, T) B$ r# r5 ~. ^6 e; i# O
LS 5 2 7N% w I/ \3 N- |
LD 102 3 5N- B; r8 |1 u3 l9 M
RG 4 95 5.5M
|. ?; t! m& lRS 5 76 252M
8 [0 F7 \% ^7 @2 H. q8 `D315 102 76 DREV. |, P$ r4 e: K
.MODEL DREV D CJO=300P RS=20M TT=100N IS=300P BV=50
v' d# M4 `7 f4 N4 cM315 102 95 76 76 MBUZ
& J( l& h, ?* d9 @# W.MODEL MBUZ PMOS VTO=-1.246 KP=0.373 R% V4 ~" \. H
M2 11 102 8 8 MSW2 w, H m9 u$ }0 k% C$ F+ A
.MODEL MSW PMOS VTO=-0.001 KP=52 e) x; w+ o6 I4 m
M3 102 11 8 8 MSW
1 P" T4 x: x; o9 c. \. ~/ OCOX 11 8 180P
% t# i' J; v! p" L, mDGD 102 8 DCGD! ^) m- f3 L( X3 C
.MODEL DCGD D CJO=527P M=0.605 VJ=0.913
# |: k9 r3 J7 _) z8 cCGS 76 95 215P4 A/ R" P0 r7 Y9 Z1 I [6 J
VGC 11 95 -20
% S* X) U2 E4 m4 E* BESCHREIBT EINE IMPLANTIERTE LADUNG (VERSCHIEBT DIE EINSATZSPANNUNG)
9 N" c$ s$ q1 J5 h( ^1 b7 _& k4 j7 GLG 4 1 7N
x$ `/ W0 I1 K/ Z# |& D$ y.ENDS
4 x/ |- j8 U3 m6 V |
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