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[疑难杂症] 【已结束】NAND FLASH 无法读写(金额:2000~5000 元)

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发表于 2016-3-11 17:59 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 EDA365_PCB 于 2017-11-17 16:17 编辑
  {  q7 A7 o4 c, t, T
# n6 a( z" T& h
1.问题描述:
设计的数据采集器主控STM32F407,使用spansion公司的nand flash S34ML01G200存储数据,使用Keil MDK自带RL-FlashFS文件系统。20台机子有3台在使用半个月之后出现nand flash无法读写的问题。片选CE为高电平,无法拉低,判定为物理损坏。
$ Y; W& C" E3 z% @* _9 O
" w5 I& D8 ?6 K& B' @( ?
2.原理图、PCB
' H/ _( M5 p) F# Z
3.要求
找到该问题所在。

1 \- N0 Y3 i8 y: h/ q
4.时间
一个月
6 y0 Z( q/ O5 {9 x0 l# f9 b
5.预算
2K~5K

- ~# e; k; e( i- ?0 [联系版主:
  y+ l8 ~0 h+ ]: y2 m2 y2 M9 U$ V! n(1)已经通过认证的设计师请直接发送你的中文姓名到版主邮箱,说明具备的接单条件及意愿。
6 q3 j+ {, w4 G# H/ Z(2)未参加认证的设计师请先去EDA365人才网(http://job.eda365.com)注册个人信息,然后要求同上。 + w, @  x" I) ^1 e! N% V" L
(3)意向接单人员请不要直接在帖子下方留联系方式,发现后禁言、屏蔽处理

NAND FLASH 无法读写.pdf

167.04 KB, 下载次数: 106, 下载积分: 威望 -5

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发表于 2016-3-26 17:46 | 只看该作者
以下三点流程:
1 D  O& a' \% W( A1.如果有同样的片子在其他板子上使用,那就更换对比操作,鉴定是不是片子本身问题(如果是片子问题,再怎么折腾浪费时间);
( b+ P: Q* O6 Y% |3 R/ X" [2.在确定没有焊接问题的情况下来先确定和nand之间的各个信号是否确认互通ok,否则你浪费时间在对的软件里面看错误;
8 X. g; f# C6 v3.上述没什么问题,软件找原因。
; X  n% Q" D% Z3 I个人意见~
辜负了岁月的人,没有资格抱怨!

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发表于 2016-3-14 18:12 | 只看该作者
按照“每1分钟采集两次数据存储在flash中” 。
' M  ]' R5 ~# e. @# U& z按照30秒写一次Flash ? 然后在假设楼主的程序在反复的擦写flash的同一页:
9 F3 e1 `2 ~( o30天*24小时*60分钟*2=8.64万。 这个Flash就差不多报废了。; r* F. x5 y* s/ s0 ^
其实要论证一下是不是程序问题很简单。 将这个擦写速度提高,比如200ms什么。看问题是否大规模出现就可以了

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发表于 2016-4-3 15:50 来自手机 | 只看该作者
NAND FLASH写入次数是有限的,楼上的朋友分析的很对,下不下来资料,没看到具体的檫写次数限制,按照介绍的频率,一个月差不多2000多次。为了进一步验证是不是檫写次数导致,你可以把读写时间改短,然后持续檫写,看看最终可以有好多次的寿命

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发表于 2016-3-12 09:53 | 只看该作者
这种问题应该可以自己解决:+ o: @$ Z! Y4 t4 J3 _% A( x( A
1,先找软件问题,如果软件没有问题,再找硬件# n7 O, i2 i, K/ S0 s( i# n& H/ f
2,硬件方面可以从焊接和PCB板材问题考虑(PCB问题应该比较小)主要就是焊接的问题,可能Nand会出现虚焊什么的,

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发表于 2016-3-13 12:07 | 只看该作者
软件没问题的话,查找硬件,焊接是否虚焊?电源是否正常?

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发表于 2016-3-13 23:31 | 只看该作者
有做过哪些测试?

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发表于 2016-3-14 11:06 | 只看该作者
只是挂在那做采集和传输实验,没有做测试。2月初挂了20台在实验,每1分钟采集两次数据存储在flash中,每10分钟从flash中提取数据发送到服务器。到现在已经有3台出现问题。

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发表于 2016-3-14 13:30 | 只看该作者
如排除了软件问题,问题很可能来自于电磁辐射,需要你描述清楚使用的电磁环境并给出PCB图纸以便于进一步判断。期望能够合作

点评

如有意向接单,请联系版主。联系方式见帖子说明。  详情 回复 发表于 2016-3-15 08:57

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发表于 2016-3-15 06:56 来自手机 | 只看该作者
如果是芯片自带闪存控制器,应该会有坏块控制及负载均衡,如果是自己用IO口模拟的那有可能把某个块写坏了

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发表于 2016-3-15 06:57 来自手机 | 只看该作者
如果主芯片可以接EMMC建议用EMMC闪存

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 楼主| 发表于 2016-3-15 08:57 | 只看该作者
carrotzjg 发表于 2016-3-14 13:30* h. G4 q3 p* X) r
如排除了软件问题,问题很可能来自于电磁辐射,需要你描述清楚使用的电磁环境并给出PCB图纸以便于进一步判 ...
7 w* c: g9 x7 J
如有意向接单,请联系版主。联系方式见帖子说明。
1 |: n- P8 E3 K4 x% W% P7 x  O

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发表于 2016-4-2 22:13 | 只看该作者
这种设计出问题是必然的,NAND FLASH写入次数是有限的,你这个规格书上说1000次左右“– Block zero is a valid block and will be valid for at least 1000  program-erase cycles”,如果频繁写入是不能用NAND FLASH的。

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发表于 2016-4-2 23:02 | 只看该作者
对, NAND FLASH写入次数是有限的。 肯定这个原因。

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发表于 2016-4-4 18:55 | 只看该作者
是不是FLASH寿命问题, 可以看懂下面的方法。在有问题的板子上FLASH换了一下吧。 8 d) K7 s" S' w4 Q* V  L
出现一样的话, 有其他原因。
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