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DDR3的终端电阻周边的电容问题

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发表于 2016-1-15 13:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图所示,一般情况下,我们会在DDR3的终端电阻周围会摆放一些0.1uF的小电容,也作为储能和滤波用。一般情况下,电容是对地的,这次见到这样一种设计,电容不是对地的,而是对1.5V供电电压的,不太明白为什么这么设计,还是说有什么特别的作用呢,希望大家给帮忙看看,谢谢大家了$ ?) S6 B4 q, B' }2 r6 E, E8 t- z" K

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 楼主| 发表于 2016-1-15 13:51 | 只看该作者
自己先顶一个

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发表于 2016-1-15 14:56 | 只看该作者
帮顶,也刚开始用DDR3

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 楼主| 发表于 2016-1-15 15:03 | 只看该作者
今天怎么没人呢,大神呢,杜老师呢

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发表于 2016-1-15 15:47 | 只看该作者
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。
$ W) T- `* E& M: l7 s. O所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用。

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嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解  详情 回复 发表于 2016-1-15 16:04
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 楼主| 发表于 2016-1-15 16:04 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2016-1-15 15:479 I* G2 s& C  j  ^9 y
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。! k0 R. X5 p  t1 B4 _% U4 C
所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用 ...
8 D. S& n5 _) l6 X
嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解
( K1 |7 n1 o0 t0 I; a2 f

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这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用  详情 回复 发表于 2016-1-15 22:53

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发表于 2016-1-15 22:53 | 只看该作者
nighteif 发表于 2016-1-15 16:04
, b$ f$ x  {# ]8 ?4 H6 @/ h嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知 ...

1 b: y# A$ x% b) p* g1 w这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用

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好的,谢谢了  详情 回复 发表于 2016-1-16 20:54

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 楼主| 发表于 2016-1-16 20:54 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2016-1-15 22:53
. f3 t' |' N' M8 \这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用

! M7 _3 K5 V4 C! C! u好的,谢谢了; Y$ G2 q; h0 Y) h

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发表于 2016-1-20 17:29 | 只看该作者
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些

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待我问问这么设计的人  详情 回复 发表于 2016-1-23 15:11

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 楼主| 发表于 2016-1-23 15:11 | 只看该作者
esyintao 发表于 2016-1-20 17:292 h, v" X, |; y# J, k' G
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些

: `. s! A& c! J" |/ p* q待我问问这么设计的人9 A! V4 c4 f! ?5 c$ x4 o* Z

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发表于 2016-2-1 09:41 | 只看该作者
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