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[仿真讨论] HFSS PORT 终极解决方案(二)

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑 3 b. P0 K$ b( l4 [: G- a- _: W9 k' U

. s  c6 H2 x5 G( T ' J$ y0 q. i# `
本文大纲

5 g7 r7 u: x+ @' P' x) b6 G本文章分三部分:" U: D0 H3 S# z) m8 Y" a* Q* O2 Y
(一)wave port与lumped port的理解
1 ]+ @% ]6 e4 O% M; p8 n(二)两种port的仿真操作用法
7 q2 c5 q% @; L(三)S参数归一化的问题
3 |4 j6 B& Z/ n* l说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器
/ {; y# b# C$ w% ~$ B
. T( r3 z3 N" `8 p简单介绍下HFSS:! C: n, h2 P4 r3 Y! n
ANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:
4 \; E) i4 B, |① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题
* ]5 @3 N2 O2 j& k' ?* L② 端口特征阻抗和传输常数7 @/ t7 w1 X7 Y+ U
③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数8 _/ C1 {% y, F. }8 C
④ 结构的本征模或谐振解。
; l- C: s' r9 _* ?而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16.2 q9 |; F- X# Q6 a9 j  m
ANSYS workbench7 ^9 h$ S/ R8 c5 O3 B

0 E4 S! `2 O) z2两种port的仿真操作用法
& z! I9 l. n7 }1 @9 @' G9 [1.微带线下wave port; z* `- q- g4 s# R: w) D: Z; N: O
如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。
, j5 m! u- D8 a# m  P# a. @0 x 3 ]1 X4 h: D& u. K# C. V8 u
图5' U& j. n( \0 y5 m) J: E2 T
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。4 n3 `4 }" R8 y% f; e: R3 P: a  a
. f" S7 a! o* \% i5 R+ d
图6
9 J( v% L2 W/ O! ^: z1 j2.微带线下lumped port6 w! Z1 W  M1 a2 A5 _
如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错7 R: }- O6 b8 t$ Q$ t

. q4 d0 [3 F. o( f4 O( G( _) ^% W图7
6 n$ @4 A6 }' Z( k8 z% W! F" [然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示5 L' O- Y7 C& S; y: s

& U/ l- T0 L% n图8' q/ i! F# w% U
3.带状线下wave port2 n6 ?: a- c+ A8 \  e% d
如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。
( w- F; Z9 j' Y( t1 y# O) ?8 n 7 l/ m* J, S5 _7 D& B9 n: G
图9- H. T4 [0 ^' C  J! C
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。0 Y+ k' o0 e% l3 x9 L& v

7 b- s( A' o8 C6 ?图10
8 W* R1 ~! K8 m2 f4.带状线下lumped port
; \* L% v) R$ g5 r* n! B) y带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“Perfect E”设为理想电边界。
/ D3 F) i7 p( |" [/ G8 G  }5 P$ {
( B) K- S/ x) u$ B0 ?( I3 M图11
0 h* d! h+ m; v2 W接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。$ \1 V% M5 ]& v$ E( b

& j6 ]6 r2 q; F$ G$ r, I图12* @7 d: Y: P! L/ r( n1 K/ v) B
选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13
/ q- e& P) e$ E  G5 s
7 ?5 F& X* v- B7 K图13
- A: G& l& E2 t" N! r2 r+ W- }$ m) n未完待续.....
. X% N1 k4 A8 _3 v
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