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疑惑:USB阻抗匹配问题

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发表于 2015-7-3 10:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、USB协议要求数据线的差分阻抗要满足90Ω,想问下这是指工作时候的交流阻抗还是直流阻抗?
3 w* \) e, B& \1 W/ v& |2 w: ~2、目前项目中为了抗干扰,在USB数据线上各串了一个磁珠,磁珠在12MHz时候的交流阻抗大概为30Ω,如果交流阻抗要求90Ω,那么我的差分走线阻抗只要满足60Ω即可?$ y8 ]6 B$ a* I* r0 p: z% ?
3、看到其他产品在USB源端数据线上各串联了47Ω的电阻,这是为了阻抗匹配吧?那么USB工作时是交流信号,而电阻的交流阻抗是0,那么有作用吗?' l: Q+ {# E! {6 G2 _& R0 O
还请各位大侠帮忙解答上面的疑惑,谢谢!, e/ m) ?3 e+ }+ T. A7 M
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发表于 2015-7-3 11:03 | 只看该作者
1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗) c$ m% G6 D5 n% B
2 差分线依然需要满足90欧
: v/ Z. \, X+ ~7 D! \5 @3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这些都是电压模式的。USB2.0以上的都是电流模式,串接的电阻必须很小,基本上都是用0R(用来吸收阻抗不连续的反射)

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 楼主| 发表于 2015-7-3 11:15 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 11:03
7 S, N; K; D7 `9 E6 i1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗* f  D1 K, D. U3 H
2 差分线依然需要满足90欧7 l& [' i" z+ k* m% q  u
3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这 ...

8 J, M- y4 {# q' y  ~: t* E% V1 f     目前项目发现USB数据线上加上磁珠后,抗干扰性的确变好了,但USB的兼容性又变差了,会出现个别USB读取有问题。现在怀疑是磁珠在12MHz工作时候的存在交流阻抗导致的。关于这个问题版主有什么好的建议吗?应该从什么方面着手改善呢?
% O) H! \1 U; x$ F' Z

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发表于 2015-7-3 11:16 | 只看该作者
我也想顺便请教下版主,这90欧的阻抗匹配;是只需要PCB设计的时候走线的阻抗匹配(通过SI9000计算所得,然后交于板场处理);然后不需要端接电阻(100R)或者值端接你所说的0R电阻吸收阻抗不连续的反射。还是说既要保证差分走线的特征电阻,还必要端接100R(90R)的电阻!!

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发表于 2015-7-3 11:23 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 11:03
5 z* u" X! I- y: P9 e1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗
5 Z1 q6 l; V. g2 差分线依然需要满足90欧
2 O6 ^' D8 A# y3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这 ...

( ^# z# c! O% b4 s4 N8 H然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,( d# R# y2 e0 ]# s2 R) Q
常见的就是源端50R串联匹配,消除二次反射;一种就是负载端1 n; ^" Z6 ]$ r4 L' W3 D
戴维南并联匹配,消除一次反射;但是看了许多的实际电路设计时,- g9 t& ^) L! x* x" V9 {
很多使用的都是直连的;然后和通过控制走线的特征电阻- \, D, P1 i- x. k: q
单端使用50R,差分使用90R;这是为什么呢!!是否跟ODT设置有关,
" r! d6 [% R" i( j: ~: g9 E然后时钟线和 地址线、数据线走线的长度 ,相互之间有什么关系,
+ D9 T8 V% D* v% Q比如,时钟线略长与数据线。 还有一个蛇形走线的时候,4 G$ G( T; U( W: \3 K- c
有没有一定的规则,比如绕几圈,多大的弧度,怎么绕;* a* q& b. x  H
问题有点多,还请不不吝赐教啊!!! 也希望其他各位大神 指点迷津!- `) R% b$ o% q: @: v+ }0 t; M& R' V

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发表于 2015-7-3 11:26 | 只看该作者
还有 就是告诉设计时的过孔 设计原则,如果选择合适的过孔,还有如何换层!!
" q5 ~- P4 J0 q) c4 A' O上面 写错了事是 特征阻抗 不是电阻!!!还有铺铜时的网格密度选择!

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发表于 2015-7-3 12:35 | 只看该作者
建议楼主赶紧找本信号完整性的书集看看,好多问题

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发表于 2015-7-3 12:39 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:232 H7 D+ r% D. i/ S/ I# Q" S
然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,) U5 h) V. v/ C' t5 L! U6 Q
常见的就是源端50R串联匹配,消除二次 ...
& m. R+ W! W! M& c) F$ _
是与ODT有关系。

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发表于 2015-7-3 13:36 | 只看该作者
xingnuolgsx 发表于 2015-7-3 11:15: M( [7 ~: s- W: _
目前项目发现USB数据线上加上磁珠后,抗干扰性的确变好了,但USB的兼容性又变差了,会出现个别USB读 ...

1 G/ H/ A3 ~% {0 J3 ~6 T- c没什么好的建议,你可以不用磁珠改用共模电感试试,使用磁珠的见的少。

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发表于 2015-7-3 13:38 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:16
8 {9 ^  H8 l% i) T" ]7 i3 N我也想顺便请教下版主,这90欧的阻抗匹配;是只需要PCB设计的时候走线的阻抗匹配(通过SI9000计算所得,然 ...
3 S8 s0 Z3 H  W" C
保证走线90欧阻抗匹配。
! e4 J4 `( x% R/ ^& R8 H0R只是起到部分的作用,比如不可避免的要打过孔,以及走线的阻抗不连续。
5 y( u" R  H; G, L' B- {

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发表于 2015-7-3 13:45 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:23
0 q. h6 v; Q5 Q4 o: F/ O& ^% ~7 Z然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,
( C& m3 c6 ?% V; f7 W1 ?( s$ {" D常见的就是源端50R串联匹配,消除二次 ...
& z) J8 U, k' E8 }
跟ODT有关系。* {( y" `- m8 z* ?" S/ Y, U
其他的你问问大师吧,
8 o2 \. H. X3 K: j) F, l6 k% w

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发表于 2015-7-3 16:38 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 13:45
5 o! q! {& h, ^' K* ]跟ODT有关系。
: s; Y. P; f5 Q' m2 V( F其他的你问问大师吧,

- V( [. O+ [# |3 N" G+ C: x3 A谢谢!!!哈哈,最近几个月 看了很多书,但是,
5 l; n( w# C. }; Q# J有些东西知道好像是那么一回事,但是又不是很确信
: u% k% D3 M: ^8 t1 d/ z所以需要大师 给出确切的答复1 s3 N  _# Y: F- X+ G5 G

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发表于 2015-7-3 16:38 | 只看该作者
坐等 各路大师 继续跟进啊,贴文章 文档,
, z9 x: L9 |0 Z6 M" h% X- w都行

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发表于 2015-7-4 07:38 | 只看该作者
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发表于 2015-7-10 20:21 | 只看该作者
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