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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 ![]() 6 i. o1 x: Z& m. `/ Q$ b
你的工程我大致看了一下，也跑了一下，发现有一个问题，就是扫描参数设置那里，将DC extrapolation勾上 ...
' W5 n7 I0 P8 s
0 |$ G& p& Z* s6 V' H
线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch
9 m, z" Y' P5 S6 a/ ?1 q算出来特征阻抗67.93ohm
; {5 l+ }( c$ e5 v
) b% t) B" {6 C; W
端口归一化 阶跃响应 TDR7 b$ @3 D8 u: Y* U: r( D/ Y$ B7 D
可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远
7 x! T0 s" M, p2 }$ d
$ [7 @0 _2 a3 c* m0 }% L- u取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下
, J7 C$ |) g7 ]3 {) r/ U
: ^( F& B# W( f4 Z, P/ e$ h端口归一化后的 冲击响应TDR- R: C, _5 p3 W/ j5 T
阻抗变化在1.16ns处，且阻抗仅在100ohm附近变化$ r. [7 B4 h7 B( {8 C/ B8 `1 [
- F$ `" T+ r8 v& M o$ `端口未做归一化，阻抗在0.14ns出发生变化，这时阻抗为负数，在-100ohm附近变化。
$ u( V6 x- W# q4 ^% F8 U
- L' |7 C* U }( M. o1 I! B" x
7 r: C" q9 ~- \, ], _归一化后的s11
# k% ]9 F) R3 Z4 `7 f, b
& ?" C2 ^) c+ f9 o3 A# S0 G未做归一化的s11
2 L& x8 u) J% [2 h) v- l; B2 |# o1 F" N4 ^' x6 n
首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大，到底应该以谁为准？4 k$ r2 @3 D" @9 t$ I
端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果？
) g: d& a; x$ f. ?% W( Z1 o为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数？
0 n. d1 X) W8 ^# ^$ |此工程中的差分线是阻抗连续的，为什么TDR图中，阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的
6 w" g6 _) Y" g2 f跳变时间不同？
6 m' M8 W9 `8 o7 x0 N
' M; j$ p8 B+ R0 H) a [0 q0 V以下为具体设置和工程文件. c& R6 B% _& R
2 u1 L- D }) R# r- z* b
# E8 n, F2 F6 z0 D: ] h& t% x/ P
/ Q- j K% m0 @6 X" T! |, t y
! i6 b$ V0 T4 g5 f
( J& N9 D0 a4 U# W. ^$ C
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: n8 @# x- d0 f, A! Y5 v2 p7 O! m
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# M% U9 b/ u& ~) M h1 G) V' d4 h
! H* p) J/ O( m6 Y$ s9 X
Archive.part2.rar
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4 z$ ^: l9 [% f5 N+ b
6 M& n' A* |$ t8 X+ Y
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6 M& b7 ^0 V7 q8 H3 Q
5 o l! W0 a7 s) A4 W |
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发表于 2012-2-5 12:11
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发表于 2012-2-5 16:04
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