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说明: 信号层1:6 ^; F9 v: _6 C9 O
; ~+ K' y. N! p$ E(1)为时钟线CK_P和CK_N,规则设置为,线宽6mil,差分对内线间距为6mil,差分对于其他DDR信号间距为20mil,走线长度CK_N为1406mil,CK_P为 1408mil。 4 H% H" e% U6 t/ n' U
线宽是要算阻抗控制的,不知道你6mil有没有考虑,线间距是要考虑串扰等SI问题,不知道你是否有客户的要求 9 q3 @2 A/ L+ j4 m
(2)为数据信号组,DQ0~DQ7、DQS0、DM0,线宽为6mil,组内走线间距为8mil,与其他DDR信号间距20mil,走线长度以时钟为参考,±10mil3 U" m; D7 Y" |) w( M$ {
1 y4 C* Y- L$ k, B/ V/ P! |Bus和差分信号最好在同一层出线,其他没有问题: E3 I, C6 q5 M5 o6 p9 {
(3)为控制/命令:RAS、CAS、CS等信号,线宽为6mil,走线间距为8mil,走线长度以时钟为参考,±100mil% D/ X3 O# m0 O( N, f. a
; y; A0 m+ J- p1 a- e控制命令不是特别重要,随便走走就好了,一般没有配等长要求
. `9 P" G5 V0 k( C1 e& ?% M信号层2 @/ i2 ?* n# c5 i3 `; d0 j) p8 {4 a! `) t
(4)为数据信号组:DQ8~DQ15、DQS1、DM1,线宽为6mil,组内走线间距为8mil,与其他DDR信号间距20mil,走线长度以时钟为参考,±10mil, [0 c% s/ E b) O, b
(5)地址线:A0~A12,线宽6mil,走线间距8mil,与其他DDR信号间距20mil,走线长度以时钟为参考,±100mil
8 B. ]! ` {) |% |. p5 W* Y地址线一般有等长要求,具体tolerance要看每个芯片的datasheet1 r% ?3 h" j9 f( h# i8 O q: l3 K
底层:6)VREF:线宽10mil; V: V ?0 X0 L- k. ?
VREF不重要,基本10mil也可以了,如果是多个DDR2的公用的话,最好再宽一点 |
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