本帖最后由 超級狗 于 2017-9-18 17:58 编辑 ) \+ H3 `; h3 o8 n9 P3 g0 ~
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小弟只能做錦上添花的工作!
1 o# J& n. U3 N+ J8 q8 U# w由於電子(Electron)的移動率(Mobility)比電洞(Hole)高,因此對於降低電阻,n 型雜質(n-Type Impurity)的效果會比 p 型雜質(p-Type Impurity)來得好。
, _0 [) a7 ~7 O2 ?' Y6 ]然而提高雜質濃度(Impurity Concentration),並非降低半導體電阻的萬靈丹。電子學也提到,當雜質濃度(Impurity Concentration)超過極限後,過多的載子(Carrier)移動時發生嚴重碰撞,反而會使移動率(Mobility)下降,這時半導體的電阻不減反增。
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若要維持同樣的阻值,所需要的 p 型雜質(p-Type Impurity )濃度會比 n 型雜質(n-Type Impurity)濃度高很多。因此使用 p 型雜質(p-Type Impurity),會比 n 型雜質(n-Type Impurity)更容易達到飽和濃度。
6 F' O# w1 B CP Channel MOSFET 並不是做不到耐 VDS 高壓的規格,而是做出來的 RDS(on) 會讓你不想去用它。RDS(on) 過高,除了功率損耗(Power Loss)大之外,也讓半導體更容易發熱,壽命跟著縮短。
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