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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑
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做一个六层板
) c: n( r1 d0 ^$ c' i6 M主芯片是DM6428 V1 L1 ]2 n& W7 Y' a9 T, o2 B
在做SDRAM信号线仿真* _, q$ b- F9 M- `6 f
0 ]+ c/ Z2 A5 `5 {0 M看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻
5 x5 ]3 L' z; _, J
7 Z+ N; f4 ^1 V, s6 B b我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆
( k, O2 }: z, Z2 w b) H# b7 Z匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆. @# o/ w! `2 b q" l
6 _: Z+ M3 f2 c; @1 f7 A
但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
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改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善5 E, ` k; _$ Q$ d4 s N7 b- _
5 }; u/ w! l' f) b9 `* x3 Q
请问我应该用哪一个组织的电阻呢?. c2 r. F4 ]1 f
用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?9 ]: ~( E* a5 e3 T2 n
: L6 o" W% X4 m; [, |" L还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?8 N0 |8 k# _3 }1 l! b" [% y
请大家不吝赐教,我都快急死了
6 b# ^( ?/ G }1 j# w3 j. n8 L5 ~% n拜托了! |
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