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[Ansys仿真] SIWAVE仿真讨论:PI仿真流程问题与疑惑!

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发表于 2009-6-4 20:06 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 mengzhuhao 于 2009-6-4 20:54 编辑
" F3 C' m, ?) R- B! ?4 U$ [1 V/ R8 O8 A
在进行PI仿真的时候,首先导入PCB文件
' F/ _  J, Z* w" x$ ^! B这个时候是不是先所有的退耦电容先无效或者去掉: d) L8 P$ k: X8 n  ?% i9 I

7 w# w/ J) O& C4 d* _9 `在电源网络的各个端口设置S参数探针
; c7 r0 n( l1 I$ H$ K* i直接进行S参数仿真,查看Z曲线,看改电源网络在交流阻抗上的变化趋势  h0 `2 {1 E* t* Z
- C$ g2 Q8 F9 D6 N; n
找出阻抗峰值点的频率$ H& D: {1 p2 r2 ^6 l$ G% o
  I1 s, U* O: g9 L2 P. |  D* ~
这个时候再进行裸板谐振仿真
) c6 ]6 v- D/ h. @找出谐振幅度最大最小的地方
& K& i: X- t8 o5 |
. ^& m; K) a' @, u- B' I1 R" R这个时候的一个疑惑是:在S参数里面出现较大阻抗的地方未必在谐振频率点上!那加电容的对策应该如何考虑?/ l3 E: `. ?1 X# L: h

% s+ h: G$ M! N" K7 T: T  D加入像我下图中,在412mhz的地方出现一个较大阻抗,差不多20欧姆,但是谐振仿真出来是3个频段,没有包含那个: s0 C; K$ }8 O% a* r

# K, _5 `5 O  ?, |0 i! C他们之间有什么关系吗?还是一点关系都没有?
9 r& i* ]. A( G/ S/ b5 K3 s% z  t  V5 ?- |8 j6 I* L+ B# ~
裸板的那个谐振仿真是所有vcc与gnd间的谐振,是带默认激励源吗?这个激励源应该如何理解?0 k' Q3 ~+ b( S" ?+ R
2 U; _) J$ V6 E7 Z/ h3 H
见一些资料说,这个仿真意义不大,需要加激励源仿真,那么这个激励远加在什么样的网络上?在进行AC扫描的时候需要选择的是同层与参考层?还是继续使用vcc层与gnd层?

加的时候在5V那点一下,然后在旁边点一下,选择对应的层!!.jpg (62.23 KB, 下载次数: 22)

加的时候在5V那点一下,然后在旁边点一下,选择对应的层!!.jpg

我在5V网络上加几个S参数端口!.jpg (60.28 KB, 下载次数: 11)

我在5V网络上加几个S参数端口!.jpg

3.然后点那个扫描选择项!.jpg (80.21 KB, 下载次数: 5)

3.然后点那个扫描选择项!.jpg

4.点ok进行计算.jpg (52.57 KB, 下载次数: 6)

4.点ok进行计算.jpg

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abbr_32e6a3664696362c32ba34f3657002e1.jpg

6.我点谐振模仿真进行计算!.jpg (242.46 KB, 下载次数: 7)

6.我点谐振模仿真进行计算!.jpg

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8.选择电源层与地层间的谐振仿真!.jpg (37.67 KB, 下载次数: 4)

8.选择电源层与地层间的谐振仿真!.jpg

9.得出的结果!.jpg (138.83 KB, 下载次数: 2)

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 楼主| 发表于 2009-6-5 09:57 | 只看该作者
是不是可以这样理解:
4 u. I5 e( u! b6 Z例如我在5V网络的各个端口处加上S参数探针(在加的时候,提示有个参考阻抗,这个地方我" @( V7 i% Y# o* ]* {
应该如何填?默认是50欧姆。但是我发现即使填个0.01的时候也跟50的一样); L7 N& z( H, S  u( v! {
这个时候出来的曲线是不是一般只需要关注Z曲线就够了: Y) ^% n8 B: Z# _
) R( b1 o7 O2 D
从计算出来的Z曲线可以看出,在180mhz以下的时候阻抗一直都在1欧姆以上,在224mhz的地1 U- H$ i% g, a+ s; i3 q- M
方出现一个最低值,然后从268mhz--421mhz之间阻抗一直保持在1欧姆,并呈上升趋势,在40 u; j9 [# T) @6 J3 M+ e+ q% j
21mhz的时候出现一个峰值47.5欧姆& y2 f+ T, o% N! @
  M7 w" C7 p  J% S6 ]. {: i
在裸板的谐振分析发现,不加探针的时候只有2个点,加上就出现3个点
6 u4 G# z5 [* ^) U( e/ Z3 y) L2 q分别在505mhz,788mhz与1.132ghz那  ]2 J% f$ y1 o% H9 o; z# Y3 l

3 R& ^7 z& O9 y  [: z那么实际的情况是:因为阻抗出现峰值的地方在谐振点之下,那么加对策的时候是不是这样& y/ e- H4 O( y( T$ K) F, H$ ~' {! N
的,看看505mhz的时候谐振区域在那,在看看加的那个S参数探针是不是在这个区域,如果
2 |$ ^% J- J2 |+ c7 B在就加上一组电容,既考虑505mhz之下的情况又考虑在505mhz时的情况3 g9 W; }# d! Z1 n# H6 B# t. a- \
8 [* V4 s' j' F! z
这样的理解对吗?

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发表于 2009-6-5 11:13 | 只看该作者
VNA测试S参数是的端接阻抗就是50ohm$ R6 ^: a' o- O+ G9 k- l/ I4 ]) h  ~
S参数主要看下插损和回损,当然看Z曲线也行,S<==>Z 可以通过相互转换
sagarmatha

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发表于 2009-6-10 08:44 | 只看该作者
根据siwave的参考资料,至少需要给电容加载模型后才能进行谐振平面的仿真,因此,需要把你对应电源网络的电容的等效参数输入到器件中,这样你的谐振点才可能是准确的,否则滤波电容的谐振点以及对电源平面的去耦效应无从谈起了。个人意见!

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发表于 2009-6-17 11:40 | 只看该作者
作谐振仿真应该加电容模型吧,要不所有的电容都是理想的,做出来的结果没有意义吧?

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发表于 2009-8-7 19:59 | 只看该作者
这个不懂,听大家继续讨论

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发表于 2009-9-8 17:31 | 只看该作者
使用siwave出现下图所示问题,仿真菜单中只显示上面两项,其他都是灰色,哪位高手能帮忙解答一下,先谢谢了
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