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怎么理解过孔和电容提供回流通路

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发表于 2009-3-19 19:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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& J$ e. u7 A& ^0 J0 ~% G从高速PCB基础理论及内存仿真技术一文中看到的,如上图。
, V, E8 i( P7 `, i: m怎么理解电容提供回流通路,图一比较好理解,! [) @2 I. V5 I& b# A' v- J
图2怎么理解?
# ~8 C& I3 S' R) K5 L0 L在不同的参考平面做切换,那电容的放置地点有什么要求?是不是要放在离信号过孔最近的地方?另外电容右边接的电源要与下面的电源层用过孔连接,这个连接的过孔是不是也要放置在离电容最近的地方?% C1 U2 x; T' I2 n6 {7 K# b8 n
请能人回答一下,谢谢!
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 楼主| 发表于 2009-3-20 09:15 | 只看该作者
么人知道么?
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发表于 2009-3-20 17:04 | 只看该作者
这个论题要注意2个知识点:
7 _- n% G% t, o: |1: 电容在对回流路径相当通路,或者简单理解就是电容对高频信号是短路的。
  R! |* p" @& X8 b* x. K: U! H2: 注意到参考电平时 电源平面 和 地平面,在他们之间跨接一个电容,相当于高频信号(回流信号)被这个电容短路了。
* A  @0 H  ]. M7 C2 x8 f1 R& K
: F. e) B2 H; w$ r5 M先看回流路径,先从电源平面走,然后碰到VIA,信号换层(此时回流路径最理想的平面是地平面),此时回流路径要找阻抗最小路径,此时有2条路走,1 电源层到地层,阻抗是电源内阻,2,是走电容的内阻(ESR),显然走电容的路径是最小阻抗路径。所以解决了回流不连续的问题。

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 楼主| 发表于 2009-3-20 17:17 | 只看该作者
谢版主,但我还想知道这个电容的放置位置是不是有讲究?尽量靠近信号的VIA?能不能多个信号VIA共用一个电容?谢谢!
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发表于 2009-3-20 17:35 | 只看该作者
位置是靠近信号的VIA, 没错,也可以共用,但不建议过多,防止信号胡绕。举个例子,1个信号是1G,一个信号100M,那么如果1G的信号回流走这里,那么此时过孔的感性效应十分大,产生的感抗比较大,此时100M的回流就不会选择这里了。

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 楼主| 发表于 2009-3-20 17:54 | 只看该作者
再谢版主!1 y; x$ i( @5 _: ~
顺便问一下,一些普通的信号(如NAND的控制线和数据线,JTAG线,GPIO线等)跨电源层应该可以吧?2 Z1 P8 G; H! \/ C+ D
这些应该不算高速信号噢!
) O3 }3 ~7 q2 H4 i9 S4 }8 y$ j还有DDR的MEMVREF跨不同的电源层可以么?貌似这个信号很关键,另外这条线比较长可以么?
天灵灵,地灵灵!

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发表于 2009-3-21 00:45 | 只看该作者
位置是靠近信号的VIA, 没错,也可以共用,但不建议过多,防止信号胡绕。举个例子,1个信号是1G,一个信号100M,那么如果1G的信号回流走这里,那么此时过孔的感性效应十分大,产生的感抗比较大,此时100M的回流就不会 ...1 u4 k% U# x/ M0 [1 z
liqiangln 发表于 2009-3-20 17:35

) S! D0 c3 ~- o& u1G信号回流产生高感抗只是对信号本身吧,如果是100M回流信号还是不大的,回路阻抗是相对于每个信号自身而言的吧。不知道理解的对不?

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发表于 2009-3-21 20:14 | 只看该作者
看下电容的特性阻抗曲线就会比较理解liqiangln版主的意思了。
sagarmatha

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发表于 2009-3-22 13:03 | 只看该作者
图形2的做法有其局限性。* m6 `  I% X  k+ [' H
由于电容的阻抗特性曲线是V形,所以在信号上升到一定频率之后阻抗会升高,这时候电容并不能提供一条低阻抗的回路。

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发表于 2009-3-23 12:12 | 只看该作者
还有DDR的MEMVREF跨不同的电源层可以么?貌似这个信号很关键,另外这条线比较长可以么?) a0 s& r0 ]6 s1 B/ C+ q' |

$ P3 x0 V9 J$ S( s3 c3 F# xliqiangln: 这个电源是作为其他信号采样用的电平值,电流很小,主要是需要电压稳定,所以可走带状,还是建议线宽一些,而且离其它动态线远一些。
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