本帖最后由 超級狗 于 2017-9-18 17:58 编辑 - p% L) V5 a/ V+ z: C. B1 _
3 q( Q9 Q/ c. ^小弟只能做錦上添花的工作！
' g4 b* t5 L* k由於電子（Electron）的移動率（Mobility）比電洞（Hole）高，因此對於降低電阻，n 型雜質（n-Type Impurity）的效果會比 p 型雜質（p-Type Impurity）來得好。
8 e! t4 Q w0 L1 a2 b然而提高雜質濃度（Impurity Concentration），並非降低半導體電阻的萬靈丹。電子學也提到，當雜質濃度（Impurity Concentration）超過極限後，過多的載子（Carrier）移動時發生嚴重碰撞，反而會使移動率（Mobility）下降，這時半導體的電阻不減反增。
; q+ T: Q: j! z; ?若要維持同樣的阻值，所需要的 p 型雜質（p-Type Impurity ）濃度會比 n 型雜質（n-Type Impurity）濃度高很多。因此使用 p 型雜質（p-Type Impurity），會比 n 型雜質（n-Type Impurity）更容易達到飽和濃度。
: ~# c# Y0 u: _! c# x* M
P Channel MOSFET 並不是做不到耐 VDS 高壓的規格，而是做出來的 RDS(on) 會讓你不想去用它。RDS(on) 過高，除了功率損耗（Power Loss）大之外，也讓半導體更容易發熱，壽命跟著縮短。 7 p3 K1 l2 N1 W5 o8 g( @8 y6 y
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发表于 2017-9-15 17:49
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发表于 2017-9-17 22:49
