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[仿真讨论] 为何在1.5G范围内 走弧线的没有走45度线的S11/S12好?

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发表于 2012-3-5 19:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 mengzhuhao 于 2012-3-5 19:17 编辑 - D; w& m7 S3 ~) j7 U+ U5 K
/ F8 H5 C' j- |; |+ Q
为何在1.5G范围内 走弧线的没有走45度线的S11/S12好?
% W4 T( n# f2 w# |$ C主要改动的地方就是旧图用的0805的封装,走的是45度折线;新图里面用的0603的封装,在拐弯处处理成了弧线
# d8 ^8 d& e: G  Y/ A
$ i+ I2 x% F' B' A4 h比较奇怪,看2张SIWAVE里面仿真出的S参数曲线,然后导出S4P文件再导入到ADS后对比看的; c6 _: N7 ^! |& F& ^& ?+ B, R8 }
1 P* m( S. S6 l: ]/ b
第一张走45度线的
/ }! b1 J: v4 F8 y2 J2 d 7 E. G- v' C2 O9 S0 m
第二张是在拐弯处处理成弧形线的
, J. Z! o/ a" U' v/ Y" E 6 H- |" u7 ?' F# A" ~1 C6 a
第三张是s参数对比,1.5g以下大概差个3db,问题就是为何弧线没全范围改善?+ K9 D" T6 d9 e: o
& `/ N2 H1 o( n2 r

; V" k) [% T1 J3 s' O  {. J5 |
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发表于 2012-3-22 13:53 | 只看该作者
cup 发表于 2012-3-21 11:06 ! ]  z* }. L# D% r1 R6 a
请问意思是说高速差分线在电阻前后要分段做等长吗?每一段都要等长吗??
3 q# C# x# e, E8 w) K+ z' G
是的!

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发表于 2012-3-21 11:06 | 只看该作者
dzwinner 发表于 2012-3-12 15:24 6 x" t- l9 p% P  _! j5 X
电阻两侧都要等长的,你第二种处理方式明显导致电阻两边都不等长,也就是电阻在差分线上的位置不对称。我觉 ...

( g6 I2 V5 ^* b, u" g2 ]  N请问意思是说高速差分线在电阻前后要分段做等长吗?每一段都要等长吗??

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发表于 2012-3-12 15:24 | 只看该作者
电阻两侧都要等长的,你第二种处理方式明显导致电阻两边都不等长,也就是电阻在差分线上的位置不对称。我觉得这个是最主要的原因! 你既然对圆弧和45度有疑问,为什么在设计时候,改动那么多呢。仍用0805,仍然是第一种的等长处理方式,只是改圆弧和45度的转角方式,很容易得出结论,高速时圆弧的好一些。

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发表于 2012-3-9 14:22 | 只看该作者
mengzhuhao 发表于 2012-3-8 17:21
8 x  P) {/ [# q6 o6 n下面的弧线也做了等长处理,只是等长处理在0欧姆电阻之后,你看到电阻之后有拐弯线了吧?
: c$ b: y7 O) i0 v* [
。。我马虎大意了

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 楼主| 发表于 2012-3-8 17:21 | 只看该作者
李明 发表于 2012-3-8 11:19
3 l! G* s1 q& t# K2 `; W5 Q; K, [仿真这块,我刚接触,大致说下我的想法, 不知道对不对。1 Z# q6 S+ `; l/ s, t
这两条线是差分线吧, 你45度线对线进行了等长 补 ...
8 \( S+ z$ {: G
下面的弧线也做了等长处理,只是等长处理在0欧姆电阻之后,你看到电阻之后有拐弯线了吧?

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发表于 2012-3-8 11:19 | 只看该作者
仿真这块,我刚接触,大致说下我的想法, 不知道对不对。8 \+ u) A) K, _, N$ H0 u# F. u$ z
这两条线是差分线吧, 你45度线对线进行了等长 补偿,而弧度布线并没有进行补偿。导致线长不一致,这样差分线会出现共模。导致出现 没有45度线 好。
" T# T. B) s( M) ^; m呵呵 圆弧布线,外弧比内弧长,出现了共模干扰。{:soso_e144:}  不知道说的对不。& ?3 k% M, {3 K/ K2 t. o

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发表于 2012-3-7 09:12 | 只看该作者
我的意思就是你多画几种走线方式和铺铜间距来仿真,挑一种最好的出去打板。1 n$ `+ H. q' e
如何对于仿真一根线来讲,S11 S22(输入,输出反射),负的越多越好。 S21 (插入损耗)负的越少越好。S12/S21在无源网络是互易的, 即S21=S12.

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 楼主| 发表于 2012-3-6 22:57 | 只看该作者
"从 S55,S66参数曲线看,2.5G左右明显存在一个谐振,这是走线长度,宽度,角度和铺铜及电路板的层叠结构所产生的,调整这些参数,曲线会不断变化,你可以不断尝试调试以上参数以达到最为优化结果"这句话没理解清楚,由于将2个S4P文件导入到ADS里面,S55与S66是其中一个S4P文件的输入端处的S参数曲线,在2.5G有下凹,是不是可以理解为在2.5G的反射波损耗比较小?其等效为常说的双端网络的S11与S22,理论上不是这些值应该越小越好么?越小说吗传输的能量没有损失。不知道这样理解对否。
0 h  _3 \" X8 ]1 ?' u- k从S参数的对比上说,应该将那些指标作为改进的要求呢?. e6 c# a4 H3 }) v
因为在一些资料上进行优化时,是将S11尽量低,S12尽量大来进行参数优化的,那我在后续仿真的时候是不是应该基于这个思路进行呢?

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发表于 2012-3-6 17:33 | 只看该作者
仿真这块来学习下!!

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发表于 2012-3-6 11:21 | 只看该作者
本帖最后由 Xuxingfu 于 2012-3-6 11:23 编辑
  Y, p2 h) @. M* t. g# y9 Z! x
9 R) c0 k' c# C2 {( l! j- l; x1. 与0805 0603封装应该关系不大;6 Q3 D  [) O0 r9 m" |( f. z* m
2. 弧线是不是比45走线好?单纯的两条线来看,也许弧线会好些。很多情况就要结合电路板个案来分析:
. K! y7 m7 t4 a3 v0 x$ I从 S55,S66参数曲线看,2.5G左右明显存在一个谐振,这是走线长度,宽度,角度和铺铜及电路板的层叠结构所产生的,调整这些参数,曲线会不断变化,你可以不断尝试调试以上参数以达到最为优化结果.1 Z% m" F3 J5 ~3 T
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