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DDR3的终端电阻周边的电容问题

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发表于 2016-1-15 13:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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如图所示,一般情况下,我们会在DDR3的终端电阻周围会摆放一些0.1uF的小电容,也作为储能和滤波用。一般情况下,电容是对地的,这次见到这样一种设计,电容不是对地的,而是对1.5V供电电压的,不太明白为什么这么设计,还是说有什么特别的作用呢,希望大家给帮忙看看,谢谢大家了+ z% H% H0 _( ~

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发表于 2016-2-1 09:41 | 只看该作者
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 楼主| 发表于 2016-1-23 15:11 | 只看该作者
esyintao 发表于 2016-1-20 17:29. P: h& x# l! S
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些
% |# O, w1 x* J: f% W
待我问问这么设计的人* a4 n$ v0 F2 u) j8 Q. d

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发表于 2016-1-20 17:29 | 只看该作者
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些

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待我问问这么设计的人  详情 回复 发表于 2016-1-23 15:11

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 楼主| 发表于 2016-1-16 20:54 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2016-1-15 22:53/ w1 R. v, d4 F. k  k) G- v
这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用
2 n8 X* n2 w4 n" c# \# M8 q
好的,谢谢了1 m- r3 |( z* ^7 _3 W. T: |; P

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发表于 2016-1-15 22:53 | 只看该作者
nighteif 发表于 2016-1-15 16:04- b4 {$ z2 x5 E# L) l7 m6 G" s" _% g
嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知 ...

1 N1 q! S* ]$ [$ U; \9 h这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用

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好的,谢谢了  详情 回复 发表于 2016-1-16 20:54

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 楼主| 发表于 2016-1-15 16:04 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2016-1-15 15:47) O+ h7 v; B7 ?- ^5 G8 m( K
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。, B6 s  {/ e5 i/ A$ U2 j3 C. ^
所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用 ...
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嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解
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这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用  详情 回复 发表于 2016-1-15 22:53

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发表于 2016-1-15 15:47 | 只看该作者
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。$ ]+ d' J9 w1 `% z# `2 W, }
所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用。

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嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解  详情 回复 发表于 2016-1-15 16:04
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 楼主| 发表于 2016-1-15 15:03 | 只看该作者
今天怎么没人呢,大神呢,杜老师呢

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发表于 2016-1-15 14:56 | 只看该作者
帮顶,也刚开始用DDR3

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 楼主| 发表于 2016-1-15 13:51 | 只看该作者
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