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发表于 2018-6-17 18:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样5 n. @5 g# J2 m/ t8 I- Z0 q; [& |
它们的共同点:$ I- v7 \" z5 z* L$ z
1,统一排地址:但地址不一样  Q$ b* S8 N1 B! i- L' H3 S
2,编程方法和的函数一样+ Y+ F8 k- _! [3 U
1,先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
0 A: @4 W. x3 |5 Z2,Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32);写
1 ?( g/ Z& k6 k4 {3 l& d其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32);
: y$ F  V" O5 C$ n0 k; F1 p7 z3,HAL_FLASH_Lock();锁住写
; C( \# G5 H* i' v3 K3,擦出方法和函数一样
# }4 n2 N$ u  l+ uHAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)$ E: b" \2 v; `. F
4,读方法和函数一样/ B1 r* k; Y# D' Z% _$ S. j
Read_eeprom_int32(uint16_t addr)& `( F' F) |5 \# H3 W
不同点:  {7 i# Z5 A0 S4 {6 K+ @
地址不一样:
5 C; l5 [% n; f# L' q' z  @EEPROM:0x08080000开始的2K字节
/ i! \9 p! h% r. F5 @1 NFLASH: 0x08000000开始的空间(大小型号决定), 其中你想用的FLASH空间。
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