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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表 / q. S% k3 t9 b
论点就错了,还讨论什么啊

2 e" i' F0 t9 f9 r; K9 X7 A4 v# T* y' h4 @6 k: I
tianya说的太对了,论点就有问题。
2 b* |5 v1 l/ D6 D' s并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了
sagarmatha

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发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;
! b( T4 w1 ?7 t2 ~% z对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。2 K: [+ k: V5 C- f2 P5 d! }
好久没关注IBIS forum了 % U; V+ i: x  _( Z
看来得过去学习下了
% G2 I4 K3 Z& n1 c. C$ q. n感谢tianya
sagarmatha

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发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
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发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。
3 E  u0 B9 ^# A' [% |7 f6 y( _' k5 m但是Overshoot就不好了。
+ y% Y7 R  m+ ~- g7 S* nIBIS对于数字电路的一般就够了。. i$ q2 }0 r( P( k
不用太去关心 适用频段。
' [, f0 }3 A; d呵呵

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发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表
( K* k& F6 J8 e- S; n模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的
5 u9 S( ?: Q5 v, s8 ~7 m

, \/ i( [+ ]+ ~+ ~烦劳详细解释
8 O; a# b  ~' _1 `9 C
, z( A! O1 Z7 y表格形式和带宽应该没有直接关系吧" Z4 |5 w5 i, Z( \, z
) w2 y$ J1 q) N, {
倒是netlist会牵涉到带宽的问题
sagarmatha

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发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。 ' R2 _9 _9 \$ \6 l5 |- {
. M9 B, R6 R( _' f8 s
由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作:
3 Q  t8 h- k) e3 H# U; ^# @8 r  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
2 n3 X5 k- X, Q( Z- R1 h0 y  2.器件没有有源预加重电路
$ v/ P$ k) H' ]" y' W/ @  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果) 2 W. b2 B) `! f: e. L  Y) D
  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。 1 B; F4 V" c& v5 u5 }4 z
  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表 ! x+ Y& T* H# c; W! g& W: E
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

: d3 A6 v, P, W5 l6 W  S
3 \% i5 z+ m* w; Y0 iIBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。
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发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。- Y  P- u8 C" |) A1 p9 I; u6 b: W
所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;  W( h  \( A3 M
而对于发送端模型,5 v9 O& U2 A% m! t6 S
一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。
+ X  ^! f0 _( O+ i0 o另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。: s: g% C/ Z) \, t2 A% D' B4 G- P* k% Z
. L& }2 m# a$ D
但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。. }2 `1 [/ p$ Y4 i9 m! r
0 p8 |9 M/ G% _* h. Q& B5 C3 o  g
说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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