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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表
* q; i6 E& f0 e论点就错了,还讨论什么啊

( J# ^) A4 P3 ]8 a7 I
9 D: I( u0 _, f4 ~+ k, ftianya说的太对了,论点就有问题。 * [, ^4 D! Z4 w( _4 P
并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了
sagarmatha

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发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;
0 Y, X' Q1 M5 S5 _& s对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。
$ e4 h0 C/ T$ j3 a. Y. o' X* S" V! y好久没关注IBIS forum了 / h* R8 }2 k4 s
看来得过去学习下了8 s/ u* x7 w/ F  X3 G6 n8 ?  O/ c$ _# I
感谢tianya
sagarmatha

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发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
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发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。
& f$ t) m0 R( W  L7 X但是Overshoot就不好了。8 Q  V3 _. m% c. D
IBIS对于数字电路的一般就够了。
* [3 ?# C. g' |- C- w2 ~5 W" ]+ `不用太去关心 适用频段。
! E" |& A# m7 k呵呵

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发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表
- j, d# T! G5 q! h' B" }模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

) J: v9 S  i% W: {6 z+ ^) h8 ~1 t2 P2 [) t4 B1 Z' J0 v: h" }  F" i
烦劳详细解释
1 u: m! l; _3 M* F% o6 j, ^- p( i+ ^: I! _0 E$ K
表格形式和带宽应该没有直接关系吧
, u1 Y9 h' L- J" J' D8 d+ n$ @! Z) ^" e' q3 m# N0 h
倒是netlist会牵涉到带宽的问题
sagarmatha

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发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。 7 [% ?# u* a0 G4 d! V  l4 m3 ]; y3 l
" \9 A. v" a! B; u) E. @8 r! v2 k
由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作: " k" |$ d: b1 l' @2 Y3 w
  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线) 5 d2 M4 s6 _, y  B: Y
  2.器件没有有源预加重电路 0 i/ M- `0 a* ?5 b
  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果)
2 @& g; a# {- K  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。
8 J8 O) g5 E6 a3 ]' n) |6 c4 G# S  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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 楼主| 发表于 2008-12-5 09:12 | 只看该作者
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表
3 v2 ^2 F. ^; B1 i' {7 L  nIBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

6 f+ A  \4 U: ?6 b1 l7 {
6 z, v# a( w: C6 }& s* c3 W8 dIBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。
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发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。2 k! K9 w3 V5 B) T3 @, U* ^' M0 M
所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;4 f# ?, M5 K- A. t0 ^/ B
而对于发送端模型,; B4 c) F9 v* G  m0 Y
一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。
# K( w7 ^  T- c另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。3 V+ n$ h, M2 s

8 O* Z3 I) s# X7 e0 z) o但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。
3 w7 X: n: y6 x$ j8 u8 j' q# N
! @4 N- p4 i, o  f; W说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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