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请教一些仿真的问题

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发表于 2008-11-4 16:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近刚开始学习PCB仿真,遇到很多不懂的地方,特来请教各位大虾~, z- l& b7 h: H1 n+ W- o
0 b7 f( M/ B4 |9 x
1.信号的过冲和下冲:& q# ?5 r# L' g( x) @
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?
; j1 [3 F5 T' I5 K1 O下冲的要求是不是以不跨越阀值为标准?
  r8 b" o& c# U) Y( H* E  A# J# a" ]; {* H2 x) t
2.时序问题:
, A; }- `  Y! q- _2 }5 D) fSDRAM的时钟信号一般是从ARM或FPGA等CPU芯片提供,而CPU芯片的时钟又是由晶振或钟振提供,那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?
% U! f: O9 o- {* U
- ~9 H7 b; a& W' E( `, M/ L用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?5 L. w' p" |$ o, t2 \; E5 f4 q3 C: F
9 w/ e# t+ Q; ^" X
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗?
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发表于 2008-11-4 18:08 | 只看该作者
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?:
8 A7 Z8 F; V/ z2 G; q* W) t9 e电平*时间的这种约束的芯片比较少,通常可以按照这个来约束,一般DDR会这样说的。
4 B, @0 z, h( M' H9 R& l( X  |' P' M
那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?- [% Y; I! s8 I% @6 H, {
:这个给SDRAM的时钟,通常是CPU倍频得到的,就是CPU的系统时钟过一个PLL得到的。! c" |/ t" r: @+ O: V1 z  S# V

6 d5 p! f( m7 Y* c5 {: J
, p1 A' R1 J% i: ~0 |用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?: 不能看出来,这个是做信号质量,不是时序分析。0 L) q) D+ H' K1 E$ M/ b
% |3 v$ t& R! ]- V7 E& {1 l' f
0 z# N( E5 t$ Z4 }" |
驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?这个看你的时钟和数据的关系。
+ b* D5 s/ z( N/ \0 Z2 F7 `; J! g3 ?" x3 W
( c8 C) ^8 |: S# ]$ m: R6 |9 A- U
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗? :这个你要仔细看手册,就是的D触发器采样的基本原理。余量可以等于0.

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发表于 2008-11-5 20:34 | 只看该作者
hyperlynx所能得到的就是buffer delay。
+ Q6 W$ x1 F7 _: [3 w* K7 CTco是由包含内部逻辑延时的。IBIS反映的只有buffer信息。
2 s8 w4 p) @9 E( a" N8 F不仅hyperlynx不能仿真出Tco,其他SI仿真工具也不行
  q, u2 @8 V2 G3 b! w) J$ M/ n当然如果你有spice模型就可以得到Tco。而芯片厂商提供的Tco参数是通过实际测试校准得到的。
sagarmatha

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 楼主| 发表于 2008-11-6 09:27 | 只看该作者
谢谢两位斑竹的解答~
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