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请教一些仿真的问题

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发表于 2008-11-4 16:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近刚开始学习PCB仿真,遇到很多不懂的地方,特来请教各位大虾~2 o  W2 [: y+ g' C1 n

" \5 j3 z: Z3 L8 Z' G1 H5 a1.信号的过冲和下冲:
, A; l  @* e4 X6 @  s! T# D8 I假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?  O: p+ T* u/ e; s5 o
下冲的要求是不是以不跨越阀值为标准?0 ?6 H  K) y) U: {
" u% U7 }$ |' m! T! o& K: M9 i
2.时序问题:
0 Y. l5 P* r5 X1 OSDRAM的时钟信号一般是从ARM或FPGA等CPU芯片提供,而CPU芯片的时钟又是由晶振或钟振提供,那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?4 S! J0 ?7 @/ `; u8 {
! y' i/ S8 j% `/ `9 v& ]' @
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?6 }, y, U/ V. Y+ ~9 Q- l6 Q
, ?. K: i+ i1 B4 G* c9 [
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗?
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发表于 2008-11-4 18:08 | 只看该作者
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?:+ n! m5 S/ ^$ a! `
电平*时间的这种约束的芯片比较少,通常可以按照这个来约束,一般DDR会这样说的。
4 O! \2 u$ Q- b) P7 i- b
% v- A4 G/ O2 K* ]$ A: t7 J那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?
8 ~9 O7 S% n9 i! F6 ~; T, w:这个给SDRAM的时钟,通常是CPU倍频得到的,就是CPU的系统时钟过一个PLL得到的。; W4 u+ B: A+ m2 s& R: j

2 u8 x% c0 X" F7 m 6 R/ v5 W  M! l. A
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?: 不能看出来,这个是做信号质量,不是时序分析。$ ~; S& m; P& X
7 Z. R" y# {% H: k$ G! v  y4 I

0 u; \2 ^+ [$ L) ~5 F# @驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?这个看你的时钟和数据的关系。/ X$ ?( e* ]4 r( @3 c- Z
6 d) N& [; ]* c, B

! g$ E$ b0 s5 k数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗? :这个你要仔细看手册,就是的D触发器采样的基本原理。余量可以等于0.

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发表于 2008-11-5 20:34 | 只看该作者
hyperlynx所能得到的就是buffer delay。, B' O  q* U" {% T
Tco是由包含内部逻辑延时的。IBIS反映的只有buffer信息。
& y7 V, Z/ ^0 X不仅hyperlynx不能仿真出Tco,其他SI仿真工具也不行( S4 ]4 P+ K1 l& D3 h1 p
当然如果你有spice模型就可以得到Tco。而芯片厂商提供的Tco参数是通过实际测试校准得到的。
sagarmatha

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 楼主| 发表于 2008-11-6 09:27 | 只看该作者
谢谢两位斑竹的解答~
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