阻抗匹配跟掏空？

fyq176017

问个问题，一般USB的差分线的阻抗是90欧姆，DDR的差分线的阻抗是75欧姆，据说这个阻抗难做得到，也可以通过掏空的方法来达到要求，请问这个掏空是在所有层都掏空呢？还是只是在参考层呢？按照我的理解，应该是只要在参考层就可以啦，因为主要是把它的回流面积给放大了来达到目的的，不知道是不是这样子？另外还有一个问题，天线的阻抗一般是50欧姆，为什么也需要掏空呢？这个掏空的作用又是什么呢？

chenhaikun

也想知道
9 r  z' K2 g: J: h8 k7 x! o请高手出来指点

forevercgh

掏空实现阻抗控制？？？没听说过。
- Y1 F( H$ k* _6 O8 U有见过的一些掏空操作，比如在RJ-45的变压器下面，这也是为了实现隔离。
; ]3 {2 M  _. V. t
天线掏空？不了解

fyq176017

不是天线，是DDR的时钟线。请再回答。

flyingwxj

DDR的时钟线是不可能被挖空的

liqiangln

其实我们常用的差分线是可以有参考层，这样阻抗好控制，并且还有回流平面，所以不是很建议掏空。但是有的时候天线，变压器下面为什么掏空呢，主要是担心地平面对变压器和天线造成耦合，并且天线的设计阻抗控制是完全利用电感，电阻，电容在上面搭建网络，通过斯密斯原图原理来设计。

GLANG

(⊙v⊙)嗯，不错的知识！

Vincent.M

问个问题，一般USB的差分线的阻抗是90欧姆，DDR的差分线的阻抗是75欧姆，据说这个阻抗难做得到，也可以通过掏空的方法来达到要求，请问这个掏空是在所有层都掏空呢？还是只是在参考层呢？按照我的理解，应该是只要在 ...
3 A. C& N8 |& {% {7 lfyq176017 发表于 2009-4-2 13:04

; k7 Z8 Z3 u+ i3 D差分线不建议用你所说的掏空操作：
1、没有参考层阻抗不好控制
2、掏空信号的参考面或者其他回流路径，导致这部分差分线（微带或者带状线）完全成为共面带线，则边缘耦合增加，会极大的增加损耗。

tlmj206108

因为阻抗的大小与介质厚度和线宽有关系,而板厂能加工的最小线宽是有底限限制的,为了使线宽便于加工,有时需要调整介质厚度和介质材料.就有了掏空这种办法。常见于手机板这种密度比较大的板，一般的通讯产品，电子设备用得较少。

chenjf

大师们，太牛逼了

qiangqssong

楼主这个问题9楼正解，邻层掏空后，第三层即为走线的参考层；
另外对RF部分的掏空6楼说的对，一防止地平面耦合干扰RF器件或天线，另外还有9楼说的作用，增大走线的宽度，以利于板厂加工制造和增大走线对大功率信号的传输；

terryadsl

那差分线把旁边的铺铜掏空有什么用？？？

cwfang

terryadsl 发表于 2011-8-24 17:29
# S; ]5 T6 a; R$ t" _那差分线把旁边的铺铜掏空有什么用？？？

  a  U1 |3 J0 N3 K6 `4 B# [铺铜离差分线太近的话，会改变差分线的阻抗

pads-tseng

学习了
% ^) a' G. p8 @1 d& E* B2 m

洋了

tlmj206108 发表于 2009-4-6 20:43
% j0 J3 H: q' T, Y6 N因为阻抗的大小与介质厚度和线宽有关系,而板厂能加工的最小线宽是有底限限制的,为了使线宽便于加工,有时需要 ...

7 D4 D' R  w* o7 f7 f- o感觉这种说法挺实际的，不过应该不只是这些吧？