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最近看一些关于电源完整性方面的资料,例如著名的目标阻抗设计!有些地方不是特别明白清楚,希望与高手交流讨论!+ Y+ b# V2 t; c& d& ?) ^9 p/ I# N
例如目标阻抗的定义是:
# }/ |& F5 f, i' f0 }Xmax=(Vdd*Ripple)/Imax1 c$ F6 L/ i! t8 L; b( B: d
例如退耦的电压是3.3v 允许的电压波动是典型的2.5% 那个Imax是负载芯片的最大瞬态电流变化量,这个数值是按器件上给出的最大电流进行计算?
: i/ B i" A O2 q9 C& E( I: s0 i+ e) ?2 n/ `
然后计算bulk容量:
6 R" u" O# |2 Y+ g1 |Zc=1/(2Pi*fC) 5 e/ ]! |7 o1 [) r* j
f按照一般电源器件能响应的最大频率100khz计算,得出一个31.831uf
5 {. d$ ]& g; }6 |- I! a那么这个容值就应该是满足100khz响应的最小容值了?实际的情况是有时候会选择100uf或者220uf的电容来满足它!
8 R/ S" U: ]2 l# z计算bulk电容的最高有效频率
8 l5 F- \7 x* ~3 K# R0 vZc=2Pi*f*ESL: y2 V0 ~0 D/ J8 ~) p0 W6 x: V
这个ESL如何确定?资料上都是说先假设5nh,是基于那些考虑? 这样算出的f=1.6mhz
8 `1 |3 V, u# C. \6 c' ?, F% O y' g然后再算电源满足500mhz下时,需要计算电容寄生电感,得出一个0.016
5 @8 q- h1 v2 o5 q e然后按照0402封装的电容焊接到电路板上的总寄生电感大概是1nh,这样就是需要1/0.16=62.5,即63个这样的电容!!!
@& ?; O Q/ Z& \0 c' a: W% p0 ]) m# N
实际的电路设计中是如何考虑?是这么干的? |
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