SIWAVE仿真讨论：PI仿真流程问题与疑惑！

mengzhuhao

, r; ?6 S( m9 E' F; {. x$ O; L6 j
在进行PI仿真的时候，首先导入PCB文件
这个时候是不是先所有的退耦电容先无效或者去掉

在电源网络的各个端口设置S参数探针
直接进行S参数仿真，查看Z曲线，看改电源网络在交流阻抗上的变化趋势

) S$ o# l  ~' P找出阻抗峰值点的频率
* S: w. c! x7 ~4 X8 s! B2 f- q
这个时候再进行裸板谐振仿真
找出谐振幅度最大最小的地方
7 S$ ^( X2 Y5 m5 m
, u3 _+ u6 }0 Q3 A这个时候的一个疑惑是：在S参数里面出现较大阻抗的地方未必在谐振频率点上！那加电容的对策应该如何考虑？

加入像我下图中，在412mhz的地方出现一个较大阻抗，差不多20欧姆，但是谐振仿真出来是3个频段，没有包含那个

他们之间有什么关系吗？还是一点关系都没有？
" R$ M" T! `7 G+ |
7 z* F8 e. Y  ^裸板的那个谐振仿真是所有vcc与gnd间的谐振，是带默认激励源吗？这个激励源应该如何理解？
$ [% B, h# d- ?) h
见一些资料说，这个仿真意义不大，需要加激励源仿真，那么这个激励远加在什么样的网络上？在进行AC扫描的时候需要选择的是同层与参考层？还是继续使用vcc层与gnd层？

mengzhuhao

是不是可以这样理解：
例如我在5V网络的各个端口处加上S参数探针(在加的时候，提示有个参考阻抗，这个地方我
: P7 p1 ~: d  ^; @应该如何填？默认是50欧姆。但是我发现即使填个0.01的时候也跟50的一样)
4 B2 P* V! v! u2 ?: j$ K) L" g, k这个时候出来的曲线是不是一般只需要关注Z曲线就够了

从计算出来的Z曲线可以看出，在180mhz以下的时候阻抗一直都在1欧姆以上，在224mhz的地
方出现一个最低值，然后从268mhz--421mhz之间阻抗一直保持在1欧姆，并呈上升趋势，在4
6 z& ?' A& M# i5 Q1 v8 j5 S  A& `) U21mhz的时候出现一个峰值47.5欧姆

在裸板的谐振分析发现，不加探针的时候只有2个点，加上就出现3个点
分别在505mhz，788mhz与1.132ghz那
% f" F4 Q: A% Z3 J
那么实际的情况是：因为阻抗出现峰值的地方在谐振点之下，那么加对策的时候是不是这样
# d2 w2 A* w) M2 x; y的，看看505mhz的时候谐振区域在那，在看看加的那个S参数探针是不是在这个区域，如果
& Q7 r4 j! K- {' `- a在就加上一组电容，既考虑505mhz之下的情况又考虑在505mhz时的情况
# f  ~) m( [& @; @: a/ y
: ~2 Q; T4 i2 t这样的理解对吗？

forevercgh

VNA测试S参数是的端接阻抗就是50ohm
S参数主要看下插损和回损，当然看Z曲线也行，S<==>Z 可以通过相互转换

lpch8

根据siwave的参考资料，至少需要给电容加载模型后才能进行谐振平面的仿真，因此，需要把你对应电源网络的电容的等效参数输入到器件中，这样你的谐振点才可能是准确的，否则滤波电容的谐振点以及对电源平面的去耦效应无从谈起了。个人意见！

zhouweitf

作谐振仿真应该加电容模型吧，要不所有的电容都是理想的，做出来的结果没有意义吧？

taybi

这个不懂,听大家继续讨论

grant6168

使用siwave出现下图所示问题，仿真菜单中只显示上面两项，其他都是灰色，哪位高手能帮忙解答一下，先谢谢了