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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑 ; W2 b; N. [: \7 l
, E0 w3 N& Y8 i2 m, h做一个六层板+ C) Z2 D6 x- _ D- T8 O
主芯片是DM642( g8 ?( `) b6 L4 R3 \; v; C' m
在做SDRAM信号线仿真" S! w& H3 i0 h4 A+ u. q
" v1 R7 u( z4 m
看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻* s. Y1 w! F3 }) N+ r) z
/ N z2 }5 z/ Z( ]. o8 {
我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil，阻抗为73欧姆$ b0 R+ H3 t; R; f) n
匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil，阻抗为66欧姆& _) r4 E2 k+ S
" q3 H$ n$ b2 L2 S
但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V' N. B; e% M2 J
( O3 i8 P* ]6 \0 v2 K" }2 o4 Y( Z& ]
改为68欧姆的匹配电阻做仿真，波形大为改善( r/ h; o9 v1 k* j+ \1 d4 d
1 \0 J5 ^: p/ o7 |, [ G2 f请问我应该用哪一个组织的电阻呢？8 U% I. T: d% Q4 g. g& ]
用68欧姆的电阻波形好点，但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢？
9 _1 U2 v( v+ x7 I& s: o' x
2 p- k, _$ s! Q& F还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长，是不是起不到匹配的作用呀？
* S8 L9 [4 t" z/ n5 n7 q8 |请大家不吝赐教，我都快急死了
! x% \ O/ S8 H4 f6 P5 z# G$ ?: F拜托了！ |
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发表于 2009-11-28 21:28
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