EDA365电子工程师网
标题:
SIwave仿真有没有将过孔的影响考虑进去?
[打印本页]
作者:
niuwa
时间:
2011-1-14 14:14
标题:
SIwave仿真有没有将过孔的影响考虑进去?
电容模型或者是仿真的过程中是否考虑了过孔的影响,Eric.Bogatin大师曾经曰过,过孔对引进的寄生电感在零点几nH的数量级,那这个不容忽视的偏差在电容厂商建立S参数模型或者SIwave软件是否将其考虑进去了呢?
2 N. R9 [) I& Z# l* q t& a) U
欢迎光临 EDA365电子工程师网 (http://bbs.elecnest.cn/)
Powered by Discuz! X3.2