Hyperlynx使用咨询

anjingcoward

上传一图片！
请问：
: ^) Q5 t9 e7 U& O1 U  K8 D8 I    如果我想仿真使用去耦电容对EM辐射的抑制作用，
    我们知道去耦电容应该加在IC芯片的电源和地引脚之间，并要尽量靠近，
! X( q( }0 l- B$ V   
    那在Hyperlynx中按照我上传图片所加的地方对不对？这种加法是加在电地引脚之间吗？
* j0 ~, e/ j/ W0 E4 \" ^0 y

honejing

曾經嘗試， 但 Hyperlynx LineSim 似乎無解。不過可以用 BoardSim,
自己抽的 Model 含  Power pin, 把電容掛在上面試試，但是它提供的 IBIS model
) g# Q: s- c/ h& Q就沒有辦法拉出 Power pin, 無法做 Power 的連接，不確定仿真 EMI 是否會有效果。
5 N7 ~5 K* @# c! o試試，若有結果，麻煩分享。

anjingcoward

honejing 发表于 2011-1-5 18:39
Linesim 無法把電容掛在 Power rail 上。
! X7 e& x, y  [! ]7 F# ^+ w$ dLZ 的圖示把電容掛在互連線上，並非去藕電容的作用。

那honejing有什么办法做做这方面的仿真没？
# r" f4 p& X9 j  [- I" Y

honejing

Linesim 無法把電容掛在 Power rail 上。
LZ 的圖示把電容掛在互連線上，並非去藕電容的作用。

anjingcoward

我在找些资料看看吧

willyeing

搞电容的目的还是降低信号沿，不管咋样，EMI都是电流发生瞬变产生的，解决EMC就是解决电流的问题！！！

anjingcoward

上传一篇文章，其中有块是作者使用Hyperlynx做的去耦电容抑制EMI，
不过没说怎么做
/ D* M) i6 q$ j* v$ _. ]1 Z

forevercgh

回复 anjingcoward 的帖子

/ p( L' f- T, J& J6 ~: _1 _  X$ y参考附图
2 Z, ^) ]; n3 `" d* p& s

willyeing

个人认为不对，IBIS模型里是DIE+PACKAGE的寄生电容，它代表封装好后芯片的pin的特性。如果加在里面等于改芯片的封装了。个人理解应该加在你加的地方，电容是pF级，一般情况可用串阻的方法来抑制EMI,还有改变驱动电流以及传输线长等！

anjingcoward

我总觉得，好像linesim中应该修改驱动芯片的IBIS模型中某些部分，这部分可能会对应去耦电容部分，可是也不会改

anjingcoward

个人感觉好像不对啊！！
对于IC来说，去耦电容不是应该加在IC的电源和地引脚之间嘛？而按照图上的加法，明显是针对输出信号的啊，这似乎应该属于滤波吧？

mf3780

应该加在微带线后面

anjingcoward

willyeing 发表于 2010-12-28 14:30
' y7 U/ \! I1 A. N# j/ S# O好像不应该加那么大的电容吧一般不会超过30pF的。几个pF应该就可以了。这样加会降低信号沿，也就是降低高频 ...

恩，我只是随便加个电容试试，呵呵！
主要是我想知道，这样加是不是正确的？
) l: d: a/ _, l) d  v( c+ T6 U你认为是对的吗？
; U! y3 O6 ^3 ]1 Y2 n

willyeing

好像不应该加那么大的电容吧一般不会超过30pF的。几个pF应该就可以了。这样加会降低信号沿，也就是降低高频分量也就是那个Fknee频率，应该可以降低EM辐射的。