SIwave 学习求助贴

yuxuan51

beyondoptic 发表于 2012-8-4 11:36
8 K% |! m9 n4 }这个观点我有点不同意，应该说软件在求解的时候整个结构都做mesh，但是提取S参数只是port之间的。
  q- |* v7 Y% i至少有一 ...

1 g: J( e8 ]4 ^) e
PORT只是说在导体和参考平面之间加了一个激励，它并不能保证所加信号在传输过程中产生的场一定限制在导体之间，一旦周围有其他的导体结构，则其他导体和原传输导体间由于电场或者磁场的耦合会感应出电流，最典型的就是串扰，其实就是传输信号能量的一种损失方式，你可以做一个试验，一对耦合线1000mil左右（尽量保证单根在50欧左右用来消除回损对结果的影响），一根线两端加PORT，还有一根悬空，然后提取S参数，看看S21会有什么现象，这个结果再和只有一根线加PORT然后跑S参数做一下对比。可以比较得出旁边有导体结构对提取S参数有没影响。

beyondoptic

我试了下，是有差别的，我在过孔哪里设port应该是包含过孔的，我刚刚有把孔删掉，只留线。结果和先前还是比较大的。