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楼主: icy88
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[仿真讨论] DDR2中clock与dqs之间的时序关系

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发表于 2012-5-9 19:09 | 只看该作者
首先,需要考虑为什么要引入DQS?
, C; o' ?8 a9 |应该说DQ的读写时序完全可以由clock来同步的,比如DDR之前的SDR就是只使用clock来同步的。速度提高之后,可用的时序余量越来越小,引入DQS是为了降低l设计难度和可靠性,可以不用考虑DQ和clock之间的直接关系,只用分组考虑DQ和DQS之间的关系,很容易做到同组同层,降低走线之间的skew.5 }: m; O+ C$ H' n# Z7 e: v
问什么要考虑DQS和clock之间的关系?/ I4 o8 E5 T6 \2 Q4 E! Q& H
DQ和DQS只是组成了源同步时序的传输关系,可以保证数据在接收端被正确的所存,但是IC工作时,内部真正的同步时钟是clock而不是DQS,数据要在IC内部传输存储同样需要和clock(内部时钟比外部时钟慢)去同步,所以就要求所有的DQ信号还是同步的,而且和clock保持一定的关系,所以就要控制DQS和clock之间的延时了。! O5 v8 n6 d' n. `7 E5 S
, w8 a  N* v; ~1 z% X
个人认为,引入DQS只是为了layout设计上的需求(时序),最终所有的信号还是需要clock去同步的。+ H2 [7 h  S) S) N; j
注:DDR3是通过Memory controller的内部延时,保证了DQS和clock之间的延时差,实际效果也是一样的。

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 楼主| 发表于 2012-5-10 11:38 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-9 17:02 7 ?0 A# T. H! }: W% a* P; F' U$ v
两个观点:/ t3 D( S$ P" Q- N. F4 Y3 Z

+ Q: h" J4 m1 U1.DQS虽然叫做DQ的时钟,但是它的表现形式和我们常见的时钟还是不一样的,常见的时钟形 ...
, i0 |' X7 o) G% W) e
yuxuan51高见,好的时序设计是可以有效地提高总线利用率的

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发表于 2012-5-10 16:43 | 只看该作者
学飞一下,不错的!!!

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发表于 2012-5-11 09:52 | 只看该作者
呵呵,谢谢LZ的指点。( I( e  W! V: {( P
听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线长,确定与Clock的延时关系,并保存到内部寄存器中,没找到这方面的资料,还不知真假。
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 楼主| 发表于 2012-5-11 11:51 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2012-5-11 09:52
7 `: [8 }) @; D( k2 C, Z呵呵,谢谢LZ的指点。" G9 W/ ^0 g" s6 X( a1 P0 @9 S
听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线 ...

) @8 b1 Q8 v, ~; L- Q# W/ G( e是的,DDR3中新增write Leveling的模式,可以调节dqs的延时,相关资料参考jedec 的 DDR3 SDRAM Specification.

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发表于 2012-5-11 12:30 | 只看该作者
我还在云里雾里呀,开始使用ddr3

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发表于 2012-5-15 13:59 | 只看该作者
gys 发表于 2012-5-9 19:09 $ ~  F. Q( N- U& N1 I7 g) v- J1 C
首先,需要考虑为什么要引入DQS?6 A" T+ O& B) ~) h  T
应该说DQ的读写时序完全可以由clock来同步的,比如DDR之前的SDR就是只使用 ...
0 b5 U$ K! }9 D5 E
你说的在理。DQS是依靠clock同步的,工作时,每组数据线与相应的DQS同步,理论上不同组的数据线的DQS在同一时刻延迟应该不一样,这样可以使layout更利于分组布线,这也是为什么每组数据线要和相应的DQS基本等长的原因。很喜欢楼主的表达方式,没有很多专业术语,利于新手理解!

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发表于 2012-5-15 14:22 | 只看该作者
icy88 发表于 2012-5-11 11:51
' o& b) B4 v7 W4 o7 N9 ]1 `) U是的,DDR3中新增write Leveling的模式,可以调节dqs的延时,相关资料参考jedec 的 DDR3 SDRAM Specificatio ...

* ]  e$ J) }. X调节DQS的延时,可以保证DQS和CLK之间的时序关系。但是DQS的延时改变了,会影响到DQS和DQ之间的时序吗?; v; c6 R5 v# u* R9 J8 E1 ^* F  W) g. n" t
! Y9 p" ]" e' c$ K7 a; [
另外read Leveling的作用是什么?用来保证哪个参数的?

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发表于 2012-5-15 19:25 | 只看该作者
恩,学习学习
手机充值就来 http://ede8.taobao.com

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 楼主| 发表于 2012-5-16 15:40 | 只看该作者
doya 发表于 2012-5-15 14:22
; z' Z: Y! f* n' X调节DQS的延时,可以保证DQS和CLK之间的时序关系。但是DQS的延时改变了,会影响到DQS和DQ之间的时序吗?7 k# Y/ K+ B0 s* ?
...
% R6 ~( \+ q& Z
8 u9 U5 C- r9 r2 N4 F* c6 H) {( _
dq是由dqs触发的,所以dq和dqs的发送是同步的,因此不会影响两者的时序的.
7 n0 q9 K8 v4 |! e
+ d8 X& U8 t& o7 j/ Dread Leveling??  DDR里没有这个吧 .

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发表于 2012-5-16 16:49 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2012-5-11 09:52 4 D. B5 n% Y8 D
呵呵,谢谢LZ的指点。
/ F. w+ y8 c! u' k2 Z3 k听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线 ...
6 E4 o9 b0 A' l! Z# E$ K" H3 O
真是这样的。

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发表于 2012-6-7 17:00 | 只看该作者
高手真多,来学习了

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发表于 2012-6-7 22:57 | 只看该作者
学习了!!!!!!!!!

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发表于 2012-6-11 10:02 | 只看该作者
我也一直想弄明白dqs和clk的关系,这次有点懂了。% p4 h; c  e% K: U6 K; f
好贴顶起。

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发表于 2012-6-21 21:41 | 只看该作者
CLK的相位是不可调的作为基准,DQS可以根据CLK调节来更好的匹配DQ,CLK与DQS的等长,我记得是75-125,DQS调节好像是1/4相位步进调节,差太远会超出1个周期。
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