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楼主: icy88
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[仿真讨论] DDR2中clock与dqs之间的时序关系

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发表于 2012-5-9 19:09 | 只看该作者
首先,需要考虑为什么要引入DQS?2 o: @6 u3 I1 K8 Y( |" [% k
应该说DQ的读写时序完全可以由clock来同步的,比如DDR之前的SDR就是只使用clock来同步的。速度提高之后,可用的时序余量越来越小,引入DQS是为了降低l设计难度和可靠性,可以不用考虑DQ和clock之间的直接关系,只用分组考虑DQ和DQS之间的关系,很容易做到同组同层,降低走线之间的skew.
/ n6 M4 B- A5 X问什么要考虑DQS和clock之间的关系?4 U) B. l$ M/ k! O+ [9 n
DQ和DQS只是组成了源同步时序的传输关系,可以保证数据在接收端被正确的所存,但是IC工作时,内部真正的同步时钟是clock而不是DQS,数据要在IC内部传输存储同样需要和clock(内部时钟比外部时钟慢)去同步,所以就要求所有的DQ信号还是同步的,而且和clock保持一定的关系,所以就要控制DQS和clock之间的延时了。
; ~6 w2 A0 a, ?; g+ z; ?
5 M: ]* D3 l9 ?$ B个人认为,引入DQS只是为了layout设计上的需求(时序),最终所有的信号还是需要clock去同步的。
8 Z0 G& c0 H$ }, M9 [6 z5 d5 L注:DDR3是通过Memory controller的内部延时,保证了DQS和clock之间的延时差,实际效果也是一样的。

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 楼主| 发表于 2012-5-10 11:38 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-9 17:02 1 u: }( G4 z  H
两个观点:5 p+ _8 r; m+ t- I

. S2 m( \9 b( u9 E8 s; ?! h0 f1.DQS虽然叫做DQ的时钟,但是它的表现形式和我们常见的时钟还是不一样的,常见的时钟形 ...
% X0 {6 M. N) ~0 V/ O* M
yuxuan51高见,好的时序设计是可以有效地提高总线利用率的

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发表于 2012-5-10 16:43 | 只看该作者
学飞一下,不错的!!!

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发表于 2012-5-11 09:52 | 只看该作者
呵呵,谢谢LZ的指点。
1 r- F" d' o" y" z1 Z听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线长,确定与Clock的延时关系,并保存到内部寄存器中,没找到这方面的资料,还不知真假。
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 楼主| 发表于 2012-5-11 11:51 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2012-5-11 09:52 , _2 M& [( K( z
呵呵,谢谢LZ的指点。
" ~7 F1 W( b  b: Z% Z7 e3 S% |听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线 ...
9 |8 D) A5 j+ c& q4 Q( e
是的,DDR3中新增write Leveling的模式,可以调节dqs的延时,相关资料参考jedec 的 DDR3 SDRAM Specification.

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发表于 2012-5-11 12:30 | 只看该作者
我还在云里雾里呀,开始使用ddr3

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发表于 2012-5-15 13:59 | 只看该作者
gys 发表于 2012-5-9 19:09 2 o% S; F$ o8 u0 m' h
首先,需要考虑为什么要引入DQS?
; x- H) X% T; X0 A2 }' |' T* l应该说DQ的读写时序完全可以由clock来同步的,比如DDR之前的SDR就是只使用 ...

0 Z+ f, y$ O. |: I6 G6 t你说的在理。DQS是依靠clock同步的,工作时,每组数据线与相应的DQS同步,理论上不同组的数据线的DQS在同一时刻延迟应该不一样,这样可以使layout更利于分组布线,这也是为什么每组数据线要和相应的DQS基本等长的原因。很喜欢楼主的表达方式,没有很多专业术语,利于新手理解!

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发表于 2012-5-15 14:22 | 只看该作者
icy88 发表于 2012-5-11 11:51
9 `$ A7 N& \- O4 A是的,DDR3中新增write Leveling的模式,可以调节dqs的延时,相关资料参考jedec 的 DDR3 SDRAM Specificatio ...

( H# |4 J3 r) Y: j调节DQS的延时,可以保证DQS和CLK之间的时序关系。但是DQS的延时改变了,会影响到DQS和DQ之间的时序吗?) y  H; q( k. [( j$ V5 l" t

3 h' l% Q; i1 W, z) q另外read Leveling的作用是什么?用来保证哪个参数的?

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发表于 2012-5-15 19:25 | 只看该作者
恩,学习学习
手机充值就来 http://ede8.taobao.com

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 楼主| 发表于 2012-5-16 15:40 | 只看该作者
doya 发表于 2012-5-15 14:22 8 a9 R) j2 ~6 g1 E, r/ j
调节DQS的延时,可以保证DQS和CLK之间的时序关系。但是DQS的延时改变了,会影响到DQS和DQ之间的时序吗?
6 @' ?8 r- ]4 H4 b. P ...
- [+ b9 J/ l, c: M9 g. q- c
' n% K  ~; j: h- p' `0 T# U
dq是由dqs触发的,所以dq和dqs的发送是同步的,因此不会影响两者的时序的.
, c( V7 l* T. g5 @% w
; I  U" v; ]: }5 C2 Y( ]read Leveling??  DDR里没有这个吧 .

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发表于 2012-5-16 16:49 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2012-5-11 09:52
7 y8 E# D7 c8 D; g呵呵,谢谢LZ的指点。3 U2 B6 E0 }! V* }3 _1 J
听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线 ...
2 y* J. v8 }) v: {  X& I
真是这样的。

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发表于 2012-6-7 17:00 | 只看该作者
高手真多,来学习了

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发表于 2012-6-7 22:57 | 只看该作者
学习了!!!!!!!!!

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发表于 2012-6-11 10:02 | 只看该作者
我也一直想弄明白dqs和clk的关系,这次有点懂了。
1 l, I6 ?; _- s好贴顶起。

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发表于 2012-6-21 21:41 | 只看该作者
CLK的相位是不可调的作为基准,DQS可以根据CLK调节来更好的匹配DQ,CLK与DQS的等长,我记得是75-125,DQS调节好像是1/4相位步进调节,差太远会超出1个周期。
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