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楼主: sunuy
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[Ansys仿真] 关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题

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发表于 2012-5-4 08:37 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-6 19:47
) V: E( ~% ~; y6 p就一张图片,说不清楚啊,看情况貌似是目标阻抗没设置好啊

1 w( Z% d. _* O( Q/ V" D" J& L% k+ ]. E* c) y& \8 @: n* h
请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?
163我看行

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发表于 2012-5-4 09:02 | 只看该作者
beyondoptic 发表于 2012-5-4 08:37 / P1 M2 z6 t- y6 u& p. V* }% F( F
请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?
! j( q7 G" N, H8 p" h! a9 x% J& |+ j0 e
那个只是个示例,最终还是需要根据实际buffer的工作电压与信号翻转时所需的最大电流来确定

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发表于 2012-5-8 10:26 | 只看该作者
也请教一下yuxuan51版主~~
9 G" r* Q- T7 u+ Q- ^" ?4 |; ?最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例啊。。我列举点数据,能不能教大家算一下?
3 D& R* ^# M, h! dDDR3 DRAM datasheet 中$ ]8 R' i1 I+ r9 ^6 x' a
           Parameter                                            Symbol                       Max
6 x: ^+ E8 L8 Y, ?8 pOperating current (ACT-PRE)                              IDD0                        65MA
) ^! H) m6 _% R. K9 C* rOperating current (ACT-READ-PRE)                      IDD1                        80MA/ G3 ]0 z3 Z; Q. F/ m6 B* z0 b
Precharge power-down standby current               IDD2                        35MA7 q2 j& F8 T9 k) G# l: H
Precharge standby current                                  IDD2N                      45MA% M0 |* w* x. s1 Z
Precharge standby  ODT current                          IDD2NT                    45MA9 j$ U) h( a2 e, _9 m2 M0 _
Precharge quiet standby current                          IDD2Q                      45MA
5 Z0 _5 X! |" O( O# wActive power-down current(Always fast exit)         IDD3P                      39MA
! i/ [9 o( g7 V1 T3 }Active standby current                                       IDD3N                      55MA. \2 }/ Z; U) D3 u2 Y4 `7 L
Operating current (Burst read operating)               IDD4R                      125MA+ S6 W+ S% {  T: |9 p5 W8 D
Operating current (Burst write operating)              IDD4W                     130MA
" x. b1 x& B% x, Y% YBurst refresh current                                          IDD5B                       250MA. u  J' D& E; A1 X' h) z
All bank interleave read current                            IDD7                        210MA
. f6 d( ]* j3 |最大电流按250mA * 0.5 算??
* u! p+ F( M, z' B' R6 J9 C0 x* ]- ^另外,一条板子需要8个DRAM颗粒,这样的话是不是电流还要乘以8?0 }6 Q! j8 n* h' h! w5 B% ~
先谢谢~

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发表于 2012-5-8 11:27 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-8 11:28 编辑 3 _% W! N% n2 A# q3 `' X* [
picibi 发表于 2012-5-8 10:26
7 f6 \! R" w" K4 K. T也请教一下yuxuan51版主~~
* K8 G( D/ Z* ^+ `1 m# W1 z最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...

1 ~0 A$ q1 N5 l0 V" L8 K* o; B; n* Z. s4 Z
首先说明下,这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的,比方说一颗DDR2片子,它有好几个电源供电脚,每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电,这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明,所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了/ Q, q' p* ?) R( x# M$ k( ]
4 y1 ?! N6 a$ }% u, N) v1 [4 G# P
下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法,我一般都用这个来计算,要是有异议的地方大家可以提出来
+ n$ x! r* g& ~* O" {' t* i; c
6 e! j8 e$ @. t& |* [$ |首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型& n% k/ N/ M9 E; ~5 j  l4 T% W# ^) x9 v
0 x7 p" [  `: N0 I5 |- n1 Z2 H: r4 ~& B
然后找一个要计算电流峰值的电源管脚,知道它所负责供电的那些buffer,打个比方,我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电,然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up,power clamp节点连接一个DC源,并在他们之间串联一个电流表,如下图,给所有的buffer同一个激励,为了找到buffer翻转时的最大电流& l2 }9 i1 N& d) F# g

; i) X. `. u! t: D6 a2 V  |8 o0 V) H. f
% g  T0 s* T" s$ G
# R& t5 D3 g3 ~. _
2 ]! F7 x, Y9 \" f0 P: N$ k+ p$ s$ `- x" O- E, g% ~- _
) M- m" u# |9 u( u; S
然后执行仿真,得到结果后查看电流曲线,可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值,下图4 N; k. Z7 I  I' o0 j
4 J& L3 x* }9 x; n
5 u3 O* l8 A8 m9 O: i$ X

5 C6 `. R& w. ]; Q- p) ?( D' W% C/ t- s
6 n9 j8 ]7 A& f( W/ U
4 t7 D6 H" Q% [  t7 c# u

# a5 V9 |7 E% V/ J; s当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性,不然也就没有参考意义了  G2 b" {& \" A$ C& T- w
* v& x  D# [( S1 P

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发表于 2016-3-29 17:13 | 只看该作者
ibis模型选择是信号管脚模型还是电源管脚。导入ADS后电源管脚模型没有了?
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