关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题

beyondoptic

yuxuan51 发表于 2012-2-6 19:47
就一张图片，说不清楚啊，看情况貌似是目标阻抗没设置好啊

, p# e1 s  g2 @8 t+ t, H请教一下yuxuan51，关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

yuxuan51

beyondoptic 发表于 2012-5-4 08:37
4 \+ ]  i0 N2 J. d# j* H4 h请教一下yuxuan51，关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

# L2 Y( C) H8 [  W1 v那个只是个示例，最终还是需要根据实际buffer的工作电压与信号翻转时所需的最大电流来确定

picibi

也请教一下yuxuan51版主~~
$ Q7 x7 D% u( s$ b, Q最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例啊。。我列举点数据，能不能教大家算一下？
DDR3 DRAM datasheet 中
7 A1 i, n% ?3 Z: s# Q- \  f1 |: T           Parameter                                            Symbol                       Max
Operating current (ACT-PRE)                              IDD0                        65MA
0 ?& @: Q+ E6 L8 F2 {+ uOperating current (ACT-READ-PRE)                      IDD1                        80MA
Precharge power-down standby current               IDD2                        35MA
* O! B- h4 a4 }0 u; |2 A, a/ mPrecharge standby current                                  IDD2N                      45MA
8 g1 l$ u# R& D+ T1 a# XPrecharge standby  ODT current                          IDD2NT                    45MA
Precharge quiet standby current                          IDD2Q                      45MA
5 i0 D, J5 Y! p: a+ _* `: S4 |" RActive power-down current(Always fast exit)         IDD3P                      39MA
Active standby current                                       IDD3N                      55MA
Operating current (Burst read operating)               IDD4R                      125MA
! B0 I6 ^% O4 J0 uOperating current (Burst write operating)              IDD4W                     130MA
9 c3 c) B$ ]  E4 FBurst refresh current                                          IDD5B                       250MA
5 T, S* V( u& L9 ~All bank interleave read current                            IDD7                        210MA
" E" D6 u) u  \3 I3 a最大电流按250mA * 0.5 算？？
另外，一条板子需要8个DRAM颗粒，这样的话是不是电流还要乘以8？
先谢谢~

yuxuan51

2 m8 G5 |! B! e9 O! ]

picibi 发表于 2012-5-8 10:26
也请教一下yuxuan51版主~~
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...

0 j5 ~, B: N1 s5 _/ Q) ~- j
首先说明下，这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的，比方说一颗DDR2片子，它有好几个电源供电脚，每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电，这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明，所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了
7 D2 A' V9 B* o* y% Z* _& `
$ S3 g* p# j" j9 N下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法，我一般都用这个来计算，要是有异议的地方大家可以提出来
4 R3 g/ T0 g0 f4 Q: D4 Z, ]
首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型
2 y$ y# {" J0 G  ^4 K
- q7 q! m( V5 f然后找一个要计算电流峰值的电源管脚，知道它所负责供电的那些buffer，打个比方，我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电，然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up，power clamp节点连接一个DC源，并在他们之间串联一个电流表，如下图，给所有的buffer同一个激励，为了找到buffer翻转时的最大电流

0 U+ F, @3 _' T



: x4 p3 h0 H3 a
! v2 v' J+ O% \! O7 h; z2 }3 O然后执行仿真，得到结果后查看电流曲线，可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值，下图
' Z+ }+ g6 P$ @

+ _0 Q* L5 ^6 Y: ]( k
8 y2 D/ m  F) N. Z5 g6 d$ l

: m9 k/ p' O) H+ `0 ^

当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性，不然也就没有参考意义了

$ F( p0 P, B7 M$ ~8 a6 }' _

szsunny

ibis模型选择是信号管脚模型还是电源管脚。导入ADS后电源管脚模型没有了？