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三次电源：
# }+ O$ k, m# s9 E3 @" }8 d1. 输入/出电容靠近管脚放置，输入电容容值小的电容更靠近管脚，输出电容容值大的更靠近管脚。9 \9 l( X1 S/ E! {; k
2. 控制信号尽量做宽，降低走线感抗，可以有效降低控制信号上的噪声，防止低温下出现电源复位。
p' O4 F7 p$ q8 Q% Y, s" `3. 功率地和小信号地做单点汇接，汇接线尽量走粗，降低感抗，原因同上。
$ m. v$ ]$ E0 n2 a8 f$ v* S, V2 x' b4. 输出输入电容的地回流路径圈圈竟可能做小。
* Y9 x* m) u- Q% _/ O7 p5. 温升在10°时候，电流按照1oz铜厚=1A，10mil孔径过孔一个=1A，此为保守估计。6 i/ R& v& d: n, v/ e" O! N: D% k
6. 电源的输入输出管脚附近是开关噪声很大的地方，尽量不要有其他走线在焊盘下层穿过。/ Q5 o$ j. [( c
二次电源
$ y' `& u/ A+ H! D/ j6 P1. 电流和上边说的一样来算$ p" N0 I1 F0 p! a
2. 注意原副边安规要求，表层2mm，内层30mil的距离，要有清晰的分隔带，光耦，桥变压器跨在分隔带上。
3 o7 \% g4 }$ m" V/ K0 A# O3. BUCK，桥，或者推挽，BOOST等等的上下MOS管的回流路径做小，铜皮尽量表层铺大，加强散热。回路感抗做小，减少MOS管应力9 \; w& }8 S2 S, z% w4 E' m
4. 吸收电路的走线尽量走宽，最好能普通皮，可以减少感抗，降低MOS应力) h% b0 e, {* d) G% P
5. 功率部分和小信号部分地分割，在第二层做单点汇接，汇接宽度在3-4mm左右，不要在瓷片电容附近汇接，最好的汇接为止在电解电容的地附近。
6 ?; j& x: T! W4 R) \6. 驱动芯片尽量靠近MOS放置，减少驱动线长度。下管的驱动线回流是地，上管驱动线回流是SW信号，需要伴随走线。) `8 H5 `8 T) S
还有些常规的安规爬电距离避让不用说了。这只是我个人经验，很不全面，如有问题请大家指正。 |
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楼主: 静音
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发表于 2013-3-29 09:50
发表于 2013-4-18 14:20
