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三次电源:
, }9 U9 U, ?3 N+ |& O1. 输入/出电容靠近管脚放置,输入电容容值小的电容更靠近管脚,输出电容容值大的更靠近管脚。
% y* o# ~' d2 T! B2. 控制信号尽量做宽,降低走线感抗,可以有效降低控制信号上的噪声,防止低温下出现电源复位。
, k! ?( a. s* x5 D3. 功率地和小信号地做单点汇接,汇接线尽量走粗,降低感抗,原因同上。
4 T E+ u- B5 u) E4. 输出输入电容的地回流路径圈圈竟可能做小。7 r) A3 X9 ^, s/ ~
5. 温升在10°时候,电流按照1oz铜厚=1A,10mil孔径过孔一个=1A,此为保守估计。
; \3 w$ t# S& a* F5 P6. 电源的输入输出管脚附近是开关噪声很大的地方,尽量不要有其他走线在焊盘下层穿过。
* |. k7 ]/ U7 e' v二次电源7 g, k) u9 u& K. S4 \9 c8 E
1. 电流和上边说的一样来算! Y# t4 Q4 C+ n' R9 K$ F Q
2. 注意原副边安规要求,表层2mm,内层30mil的距离,要有清晰的分隔带,光耦,桥变压器跨在分隔带上。$ Q( E# l4 K7 T" m" F
3. BUCK,桥,或者推挽,BOOST等等的上下MOS管的回流路径做小,铜皮尽量表层铺大,加强散热。回路感抗做小,减少MOS管应力! b# v5 [* d# d [& C- P4 R
4. 吸收电路的走线尽量走宽,最好能普通皮,可以减少感抗,降低MOS应力
; r( ~+ _' C' Z! C) ]2 C5. 功率部分和小信号部分地分割,在第二层做单点汇接,汇接宽度在3-4mm左右,不要在瓷片电容附近汇接,最好的汇接为止在电解电容的地附近。
4 w; n/ @' t/ j y; q4 m6. 驱动芯片尽量靠近MOS放置,减少驱动线长度。下管的驱动线回流是地,上管驱动线回流是SW信号,需要伴随走线。
; t4 S$ m/ k" o2 {还有些常规的安规爬电距离避让不用说了。这只是我个人经验,很不全面,如有问题请大家指正。 |
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