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三次电源:+ h, g& O! A! A- z
1. 输入/出电容靠近管脚放置,输入电容容值小的电容更靠近管脚,输出电容容值大的更靠近管脚。
C2 i2 \9 u/ i, S' J- v" c# D2. 控制信号尽量做宽,降低走线感抗,可以有效降低控制信号上的噪声,防止低温下出现电源复位。
; J! f2 N% y' s D8 J, `3. 功率地和小信号地做单点汇接,汇接线尽量走粗,降低感抗,原因同上。
3 H% K/ |9 ]% R! v5 m, a. K4. 输出输入电容的地回流路径圈圈竟可能做小。
4 N; Y: O9 U' _; W( m o8 X. X5. 温升在10°时候,电流按照1oz铜厚=1A,10mil孔径过孔一个=1A,此为保守估计。' T' n" q8 D; o3 q8 h* N
6. 电源的输入输出管脚附近是开关噪声很大的地方,尽量不要有其他走线在焊盘下层穿过。
x1 N, P8 ^9 Z( i# m4 |, a二次电源
}, Q/ b, F7 O2 |$ _1. 电流和上边说的一样来算5 j) N) B4 |, \- _
2. 注意原副边安规要求,表层2mm,内层30mil的距离,要有清晰的分隔带,光耦,桥变压器跨在分隔带上。4 d+ C6 `% f: p3 _3 p: ^/ r; F
3. BUCK,桥,或者推挽,BOOST等等的上下MOS管的回流路径做小,铜皮尽量表层铺大,加强散热。回路感抗做小,减少MOS管应力
) y" D% V7 j# l9 o4. 吸收电路的走线尽量走宽,最好能普通皮,可以减少感抗,降低MOS应力
* e7 @) {% i( |5. 功率部分和小信号部分地分割,在第二层做单点汇接,汇接宽度在3-4mm左右,不要在瓷片电容附近汇接,最好的汇接为止在电解电容的地附近。
/ A3 [8 i0 Z' `5 z k$ F6 k E6. 驱动芯片尽量靠近MOS放置,减少驱动线长度。下管的驱动线回流是地,上管驱动线回流是SW信号,需要伴随走线。
4 |# S6 @6 v9 t+ z9 \# F% I还有些常规的安规爬电距离避让不用说了。这只是我个人经验,很不全面,如有问题请大家指正。 |
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